[發明專利]顯示器制造方法和顯示器

有效

• 申請號: 201010138464.0
• 申請日: 2010-04-02
• 公開（公告）號: CN101859714A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 大畑豐治;友田勝寬;平尾直樹;土居正人
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L25/075;G09F9/30
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

相關申請的交叉參考

本申請包含與2009年4月10日向日本專利局提交的日本優先權專利申請JP?2009-095897的公開內容相關的主題，在此將該優先權申請的全部內容以引用的方式并入本文。

技術領域

本發明涉及顯示器制造方法和顯示器，具體涉及把形成且排列在晶片上的發光元件重新排列到安裝基板上的顯示器制造方法和利用該制造方法得到的顯示器。

背景技術

在以矩陣形式排列有發光二極管(light?emitting?diode，LED)的顯示器的制造過程中，要進行把形成且排列在生長基板(尺寸為50～150mm見方)上的微小尺寸(幾～幾十微米正方形)的單晶LED安裝到器件基板上的步驟。這時，從生長基板上選擇以目標顯示器的像素間距周期(是LED形成周期的整數倍)排列著的LED并將它們集體轉印至器件基板上，而且重復地進行上述步驟，就能夠制造出具有目標尺寸和像素數量的顯示器。

例如，當把以20μm的間距排列在30mm×30mm的生長基板上的LED以擴大到300μm的間距重新排列到器件基板上時，對于整個生長基板就會把排列在該生長基板上的每15個LED中的一個LED選擇性地進行集體轉印。這樣，一次性地將100×100個LED以300μm的間距集體轉印至器件基板上。

此外，通過以同一周期將剩余在生長基板上的LED重復地同樣集體轉印至與器件基板上的已轉印區域相鄰的區域中，就可以利用一個30mm×30mm的生長基板形成單色的大顯示器(例如參見JP-A-2006-140398(專利文件1，見第0017段和圖1))。

在生長基板上形成LED的過程中，一般通過利用MOCVD(金屬有機物化學氣相沉積)方法的外延晶體生長工藝來實現包括發光層的各層的成膜過程。特別地，對于藍色光或綠色光發光LED，需要形成幾個納米(nm)的極薄的InGaN量子阱層，LED的發光波長和發光效率很大程度上取決于其厚度和成分(In成分比)。

然而，在利用MOCVD方法的外延晶體生長工藝中，在晶體生長時難以在平面內十分均勻地保持生長基板的溫度分布以及原料和載氣的流動，而這些都是所生長出來的膜的厚度和成分的參數。因此，形成在生長基板上的LED在基板平面內具有幾個納米(nm)的發光波長(峰值波長或主波長)分布。

因此，當使用形成有具有上述分布的LED的生長基板并進行選擇性重復轉印從而制造出顯示器時，以一個轉印區域的大小為單位，波長在面板顯示平面中進行周期性地變化。當峰值波長或者主波長的變化幅度(不均勻性)為大約2nm以上時，進行視覺檢查時就會看到色度不均勻。除此之外，同時存在的問題是，當在整個表面上通過同一電流進行單色驅動時，由于發光效率的差異或者波長的差異所致的可見度差異因而也會看見亮度不均勻。當出現色度不均勻或亮度不均勻時，顯示器的顯示質量就劣化，其實用性受到損害。

為了防止如上所述的色度不均勻或亮度不均勻，也存在一種方法：在該方法中，僅選擇亮度和發光波長在基準值范圍內的那些LED并把它們排列到器件基板上。然而，作為個人用或者家用圖像顯示器，需要像素間距小于1mm，且需要0.3～2百萬像素。在上述用途的顯示器中逐個安裝不少于0.2mm見方的LED的話，從成本來說是不切實際的。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種顯示器制造方法，在該方法中，通過執行用于同時轉印多個元件的集體轉印從而保持了產量，還能夠擴散初始元件排列中的發光特性的分布，并且能夠得到具有良好圖像質量的顯示器。除此之外，本發明的目的還在于提供一種通過上述制造方法而改善了圖像質量的顯示器。

為實現上述目的，本發明實施例提供一種顯示器制造方法，在該方法中進行如下步驟。首先，在第一步驟中，把形成且排列在第一基板上的多個發光元件中每隔特定數量的發光元件而排列著的發光元件集體轉印至已設定在第二基板上的轉印區域中。在接著的第二步驟中，通過第一轉印將剩余在所述第一基板上的發光元件從所述第一基板轉印至已安裝到所述第二基板上的多個發光元件之間。具體地，在所述第二步驟中，在相對于所述第二基板上的所述轉印區域使所述第一基板移動的狀態和在平面內使所述第一基板旋轉的狀態中的至少一個狀態下進行轉印。

在如上所述的本分明實施例的方法中，即使將發光元件形成且排列在第一基板上且使得發光特性以特定分布變化，但這些發光元件會在第二步驟中被轉印至已安裝到第二基板上的發光元件之間，從而除去第一步驟中已集體轉印到第二基板上的發光元件的發光特性分布。