[發明專利]一種脈沖寄存器的實現結構有效
| 申請號: | 201010137957.2 | 申請日: | 2010-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN101866696A | 公開(公告)日: | 2010-10-20 |
| 發明(設計)人: | 車德亮 | 申請(專利權)人: | 北京時代民芯科技有限公司;中國航天科技集團公司第九研究院第七七二研究所 |
| 主分類號: | G11C19/28 | 分類號: | G11C19/28 |
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 臧春喜 |
| 地址: | 100076 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 脈沖 寄存器 實現 結構 | ||
1.一種脈沖寄存器的實現結構,其特征在于:包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管和第十六NMOS管;第一PMOS管的柵端接時鐘信號CLK,第一PMOS管的源端接電源,第一PMOS管的漏端接第二PMOS管的源端,第二PMOS管的柵端接寄存輸入信號D,第二PMOS管的漏端接第一NMOS管的漏端,第一NMOS管的柵端接第七PMOS管、第八PMOS管和第八NMOS管的共漏端,第一NMOS管的源端接第二NMOS管的漏端,第二NMOS管的柵端接第二PMOS管的柵端,第二NMOS管的源端接第三NMOS管的漏端,第三NMOS管的柵端接使能信號EN,第三NMOS管的源端接地;第三PMOS管的柵端接使能信號EN,第三PMOS管的源端接電源,第三PMOS管的漏端接第四PMOS管的柵端,第四PMOS管的源端接電源,第四PMOS管的漏端接第四NMOS管的漏端,第四NMOS管的柵端接第四PMOS管的柵端和第三PMOS管的漏端,第四NMOS管的源端接地;第五PMOS管源端接電源,第五PMOS管的柵端接第七PMOS管、第八PMOS管和第八NMOS管的共漏端,第五PMOS管的漏端接第六PMOS管的源端,第六PMOS管的柵端接第四PMOS管與第四NMOS管的共漏端,第六PMOS管的漏端接第五NMOS管、第三PMOS管的共漏端,第五NMOS管的柵端接時鐘信號CLK,第五NMOS管的源端接第六NMOS管的漏端,第六NMOS管的柵端接第四PMOS管、第四NMOS管的共漏端,第六NMOS管的源端接第七NMOS管的漏端,第七NMOS管的柵端接使能信號EN,第七NMOS管的源端接地;第七PMOS管的源端接電源,第七PMOS管的柵端接第三PMOS管的漏端,第八PMOS管源端接電源,第八PMOS管的柵端接時鐘CLK,第七PMOS管與第八PMOS管共漏端接第八NMOS管的漏端,第八NMOS管的柵端接第三PMOS管的漏端,第八NMOS管的源端接第九NMOS管的漏端,第九NMOS管的柵端接時鐘信號CLK,第九NMOS管的源端接地;第九PMOS管的源端接電源,第九PMOS管的柵端接第七PMOS管、第八PMOS管與第八NMOS管的共漏端,第九PMOS管的漏端接第十PMOS管的源端,第十PMOS管的柵端接第四PMOS管與第四NMOS管的共漏端,第十PMOS管的漏端接第十NMOS管的漏端,第十NMOS管的柵端接第四PMOS管與第四NMOS管的共漏端,第十NMOS管的源端接第十一NMOS管的漏端,第十一NMOS管的柵端接時鐘信號CLK,第十一NMOS管的源端接第十二NMOS管的漏端,第十二NMOS管的柵端接使能信號EN,第十二NMOS管的源端接地;第十一PMOS管的柵端接使能信號EN,第十一PMOS管的源端接電源,第十一PMOS管的漏端接第十二PMOS管的柵端,第十二PMOS管的源端接電源,第十二PMOS管的漏端接第十三NMOS管的漏端,第十三NMOS管的柵端接第十二PMOS管的柵端和第十一PMOS管的漏端,第十三NMOS管的源端接地;第十三PMOS管的源端接電源,第十三PMOS管的柵端接時鐘信號CLK,第十三PMOS管的漏端接第十四PMOS管的源端,第十四PMOS管與第十四NMOS管共柵端接第十二PMOS管與第十三NMOS管的共漏端,第十四PMOS管與第十四NMOS管共漏端接第十一PMOS管的漏端,第十四NMOS管的源端接第十五NMOS管的漏端,第十五NMOS管的柵端接第七PMOS管、第八PMOS管與第八NMOS管的共漏端,第十五NMOS管的源端接第十六NMOS管的漏端,第十六NMOS管的柵端接使能信號EN,第十六NMOS管的源端接地;第十二PMOS管與第十三NMOS管的共漏端定義為輸出端Q,第十一PMOS管、第十四PMOS管與第十四NMOS管的共漏端定義為反向輸出端QN,當時鐘信號CLK出現上升沿時觸發寄存輸入信號D,使能信號EN高有效,當使能信號EN為高時,寄存器輸出根據寄存輸入信號D正常動作,當使能信號EN為低時,寄存器輸出恒定為Q=0,QN=1。
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