[發明專利]一種自組裝納米晶二氧化鈦薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201010137780.6
• 申請日: 2010-04-01
• 公開（公告）號: CN101830641A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 付敏恭;付雪
• 申請（專利權）人: 付敏恭
• 主分類號: C03C17/27
• 分類號: C03C17/27
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 李衛東

1.一種自組裝納米晶二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：按下列步驟操作：(1)TiCl4醇體系的前驅溶液的配制；(2)襯底基片的清洗；(3)納米晶二氧化鈦薄膜的自組裝和后處理；(4)雙層納米晶二氧化鈦薄膜的自組裝和后處理。

2.根據權利要求1所述的一種自組裝納米晶二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：所述的TiCl4醇體系的前驅溶液的配制方法，按下列步驟操作：按體積比醇∶去離子水＝1-3∶3-1配制混合液，在通風柜內將混合液置于冰浴上，用清潔、干燥的移液管將TiCl4滴加到混合液中，同時快速攪拌，配成濃度為5％-50％的TiCl4醇體系的前驅溶液，放在冰箱中備用；其中的醇可以是乙醇、甲醇、異丙醇中的任意一種。

3.根據權利要求1所述的一種自組裝納米晶二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：所述的襯底基片的清洗，按下列步驟操作：將襯底基片放到KOH的異丙醇飽和溶液中浸泡12-24小時，取出用去離子水淋洗，再超聲波清洗30分鐘，吹干后用無水乙醇超聲波清洗10分鐘，超聲波裝置的功率范圍在300～1000W，頻率10-20khz，吹干備用。其中的襯底基片可以是FTO導電玻璃基片或IFO導電玻璃基片中的任意一種。

4.根據權利要求1所述的一種自組裝納米晶二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：所述的納米晶二氧化鈦薄膜的自組裝和后處理，按下列步驟操作：取2-5ml體積濃度為5％-50％的TiCl4醇體系的前驅溶液加去離子水稀釋到30-80ml，攪拌均勻得到浸漬液，在室溫條件下將清洗后的襯底基片垂直或者平躺浸漬于浸漬液之中，經過12-96小時浸漬的襯底基片表面會形成薄膜；用去離子水淋洗形成薄膜的襯底基片，最后用無水乙醇洗1-2次，吹干備用；將形成薄膜的襯底基片于300-500℃熱處理1小時進行熱固化，冷卻后得到第一次自組裝的成品。

5.根據權利要求1所述的一種自組裝納米晶二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：所述的雙層納米晶二氧化鈦薄膜的自組裝和后處理，按下列步驟操作：取2-5ml體積濃度為5％-50％的TiCl4醇體系的前驅溶液，加去離子水稀釋到30-80ml，攪拌均勻得到浸漬液，在室溫條件下將經過熱處理后的第一次自組裝納米晶二氧化鈦薄膜的襯底基片垂直或者平躺浸漬于浸漬液之中，經過12-96小時的自組裝即薄膜的沉積，在第一層納米晶二氧化鈦薄膜的表面再次沉積第二層納米晶二氧化鈦薄膜；用去離子水淋洗形成薄膜的襯底基片，最后用無水乙醇洗1-2次，吹干備用；將形成薄膜的襯底基片于300-500℃熱處理1小時進行熱固化，冷卻后得到雙層納米晶二氧化鈦薄膜。

6.根據權利要求2所述的一種自組裝納米晶二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于：所述的TiCl4醇體系的前驅溶液的配制方法，按體積比醇∶去離子水＝1∶1。