[發(fā)明專利]一種貧鐵配方的MnZn鐵氧體材料及其制備方法

無效

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• 申請日: 2010-03-31
• 公開（公告）號: CN101805173A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發(fā)明（設計）人: 魏瑞明;戴建中;陸靜軍;鄒仲鶴
• 申請（專利權）人: 蘇州天銘磁業(yè)有限公司
• 主分類號: C04B35/26
• 分類號: C04B35/26;C04B35/622
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

技術領域

本發(fā)明涉及一種MnZn鐵氧體材料，尤其涉及一種具有較高電阻率、較低高頻損耗同時具有較高飽和磁感應強度和較高居里溫度等優(yōu)異綜合性能的鐵氧體材料及其制備方法，屬于氧化物磁性材料技術領域。

技術背景

隨著電子信息工業(yè)的迅速發(fā)展，電子設備向輕薄化、集成化、智能化和多功能化方向發(fā)展，高性能軟磁材料需求激增，世界各大磁性材料生產公司均投入巨資爭相研制、開發(fā)和生產高性能軟磁材料。軟磁材料中用量最大、應用最廣泛的是軟磁鐵氧體材料，而在軟磁鐵氧體生產和使用中占主導地位的是MnZn鐵氧體，用它制成的磁芯被廣泛應用于通信、廣播、電視、自動控制、航天技術、計算機技術、電子設備及其它IT產業(yè)中的各種類型的電感器、變壓器、扼流圈、抑制器和濾波器等器件。與NiZn鐵氧體相比，MnZn鐵氧體電阻率相對較低、損耗較大。這是由于一般的MnZn鐵氧體組分中，Fe₂O₃的摩爾比均超過50％，而成為所謂的富鐵組成。當其在還原氣氛中燒結、冷卻時，在尖晶石結構中，便存在對鐵氧體導電性產生很大貢獻的Fe²⁺，Fe²⁺-Fe³⁺間的電子跳躍傳導使得電阻率急劇降低。若能與NiZn鐵氧體一樣，在MnZn鐵氧體中，設計Fe₂O₃的摩爾比小于50％的貧鐵配方，就有可能抑制Fe²⁺的生成，從而抑制電阻率的下降，大大降低MnZn鐵氧體材料的在高頻下的渦流損耗。然而，單純降低配方中的Fe₂O₃含量會降低MnZn鐵氧體的飽和磁感應強度、起始磁導率和居里溫度等磁性參量。

發(fā)明內容

本發(fā)明針對現有MnZn鐵氧體存在的電阻率相對較小、高頻損耗相對較大的缺點提供一種具有較高電阻率、較低高頻損耗同時具有較高飽和磁感應強度和較高居里溫度等優(yōu)異綜合性能的貧鐵配方MnZn鐵氧體及其制備方法。

本發(fā)明的上述技術問題主要通過下述技術方案得以解決的：一種具有較高電阻率、較低高頻損耗同時具有較高飽和磁感應強度和較高居里溫度等優(yōu)異綜合性能的貧鐵配方MnZn鐵氧體磁性材料，該MnZn鐵氧體磁性材料由主成分和輔助成分制成。

其中所述的主成分及摩爾百分比按氧化物計算為：

Fe₂O₃：45～49mol％；

MnO：31.7～34.5mol％；

剩余為ZnO；

輔助成分及摩爾百分比按氧化物計算為：

SnO₂：0.1～0.5wt％；

ZrO₂：0.1～0.5wt％。

本發(fā)明的主成分控制在45～49摩爾百分比的Fe₂O₃，31.7～34.5摩爾百分比的MnO，剩余為ZnO。貧鐵的主配方通過降低鐵含量來減少最終鐵氧體中Fe²⁺離子的含量，從而減弱了Fe³⁺和Fe²⁺之間電子的躍遷，提高了電阻率，降低了高頻渦流損耗。