[發明專利]能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構及其制法無效
| 申請號: | 201010136592.1 | 申請日: | 2010-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN102194797A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發明(設計)人: | 姚進財;黃建屏;柯俊吉 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/552 | 分類號: | H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 避免 電磁 干擾 方形 扁平 引腳 封裝 結構 及其 制法 | ||
1.一種能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構,其特征在于,包括:
導線架,具有芯片座、多個連接該芯片座的支撐部及多個環設于該芯片座周圍且不連接該芯片座的導腳;
芯片,接置于該芯片座上;
焊線,電性連接該芯片及各該導腳;
封裝膠體,包覆該芯片、焊線及導線架,并外露出該導腳側邊和底面及芯片座底面;以及
遮蔽膜,設于該封裝膠體的頂面及側面并電性連接該支撐部。
2.根據權利要求1所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構,其特征在于,該導腳與遮蔽膜為封裝膠體隔開。
3.根據權利要求1所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構,其特征在于,該封裝結構具有齊平的側表面。
4.根據權利要求1所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構,其特征在于,各該導腳具有一延伸至該封裝結構側邊的延伸部,該延伸部的厚度小于各該導腳,且該延伸部的頂面與該導腳頂面形成段差結構而嵌卡于該封裝膠體中。
5.根據權利要求1所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構,其特征在于,該支撐部的厚度小于該芯片座。
6.根據權利要求1所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構,其特征在于,該支撐部底面與該芯片座底面形成段差結構,且該支撐部嵌卡于該封裝膠體中。
7.根據權利要求1所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構,其特征在于,該支撐部末端外露出該封裝結構的側表面。
8.根據權利要求1所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構,其特征在于,該遮蔽膜為碳質材料或含金屬粉體材料。
9.一種能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構的制法,其特征在于,包括:
準備一金屬架體,包括多個導線架及多個縱橫分布的連接條,各該導線架具有芯片座、多個連接該芯片座的支撐部及多個環設于該芯片座周圍且不連接該芯片座的導腳,其中,各該導線架通過所述支撐部及導腳連接該連接條;
在各該導線架的芯片座上接置芯片,并以焊線對應電性連接各該導腳;
形成封裝膠體以包覆該連接條、芯片、焊線、芯片座、導腳及支撐部,并外露出該連接條、芯片座及導腳的底面;
沿著各該連接條進行第一次裁切以切割該封裝膠體,以在該封裝膠體中形成多個露出各該連接條及部分支撐部的溝槽;
在該封裝膠體表面及溝槽中形成遮蔽膜,以令該遮蔽膜電性連接所述支撐部;以及
沿著各該溝槽及各該連接條進行第二次裁切,以切割該遮蔽膜及金屬架體,從而令該遮蔽膜包覆該封裝膠體側面,并與該導腳及支撐部的側邊齊平。
10.根據權利要求9所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構的制法,其特征在于,該金屬架體的材料為銅。
11.根據權利要求9所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構的制法,其特征在于,該支撐部的厚度小于該芯片座。
12.根據權利要求9所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構的制法,其特征在于,該支撐部底面與該芯片座底面及連接條底面形成段差結構。
13.根據權利要求12所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構的制法,其特征在于,該段差結構是經蝕刻形成。
14.根據權利要求9所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構的制法,其特征在于,各該導腳具有一延伸部,且該延伸部的厚度小于各該導腳,從而令該延伸部的頂面與該導腳頂面形成段差結構。
15.根據權利要求14所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構的制法,其特征在于,該段差結構是經蝕刻形成。
16.根據權利要求9所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構的制法,其特征在于,該溝槽的寬度大于該連接條。
17.根據權利要求9所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構的制法,其特征在于,該第二次裁切的寬度小于該第一次裁切的寬度。
18.根據權利要求9所述的能避免電磁干擾的四方形扁平無引腳封裝結構的制法,其特征在于,形成該遮蔽膜的材料為碳質材料或含金屬粉體材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于矽品精密工業股份有限公司,未經矽品精密工業股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010136592.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:記憶體元件及其制造方法
- 下一篇:多柵結構MOSFET模型的建模方法





