[發(fā)明專利]發(fā)光器件、其制造方法、發(fā)光設(shè)備和照明系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010135767.7
• 申請(qǐng)日: 2010-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101834255A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸德炫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/46;H01L33/48;H01L33/62;F21S2/00;F21Y101/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

相關(guān)申請(qǐng)

本申請(qǐng)要求2009年3月10日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)10-2009-0020134的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方案涉及發(fā)光器件、其制造方法和發(fā)光設(shè)備。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管包括：具有第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)隨著對(duì)其供電而發(fā)光。

發(fā)光結(jié)構(gòu)形成在生長(zhǎng)襯底例如藍(lán)寶石襯底上，作為外延層，并且在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成反射層。然后，在反射層上形成導(dǎo)電襯底并且移除生長(zhǎng)襯底，由此獲得垂直型發(fā)光二極管。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方案提供具有改善的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件、其制造方法和發(fā)光設(shè)備。

實(shí)施方案提供能夠改善發(fā)光效率的發(fā)光器件、其制造方法以及發(fā)光設(shè)備。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，提供發(fā)光器件，包括：導(dǎo)電襯底；在所述導(dǎo)電襯底上的反射層；在所述導(dǎo)電襯底的上表面的周邊部分上的蝕刻保護(hù)層；和發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)形成在反射層和蝕刻保護(hù)層上，使得所述蝕刻保護(hù)層部分暴露，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、以及在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層，其中所述蝕刻保護(hù)層包括：具有第一折射率的第一折射層和具有大于第一折射率的第二折射率的第二折射層。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，提供發(fā)光器件封裝，包括：封裝體；在所述封裝體上的發(fā)光器件；與所述發(fā)光器件電連接的電極；和包圍所述發(fā)光器件的包封層。所述發(fā)光器件包括：導(dǎo)電襯底；在所述導(dǎo)電襯底上的反射層；在所述導(dǎo)電襯底的上表面的周邊部分上的蝕刻保護(hù)層；和發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)形成在所述反射層和所述蝕刻保護(hù)層上，使得所述蝕刻保護(hù)層部分暴露，其中所述蝕刻保護(hù)層包括具有第一折射率的第一折射層和具有大于第一折射率的第二折射率的第二折射層。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，提供照明系統(tǒng)，包括：發(fā)光器件封裝，所述發(fā)光器件封裝包括：封裝體、在所述封裝體上的發(fā)光器件、與所述發(fā)光器件電連接的電極、和包圍所述發(fā)光器件的包封層。所述發(fā)光器件包括：導(dǎo)電襯底；在所述導(dǎo)電襯底上的反射層；在所述導(dǎo)電襯底的上表面的周邊部分上的蝕刻保護(hù)層；和發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)形成在所述反射層和所述蝕刻保護(hù)層上，使得所述蝕刻保護(hù)層部分暴露，其中所述蝕刻保護(hù)層包括具有第一折射率的第一折射層和具有大于第一折射率的第二折射率的第二折射層。

附圖說(shuō)明

圖1～6是顯示制造根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件的方法的截面圖；

圖7是顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；

圖8和9是顯示在根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件中的蝕刻保護(hù)層的反射因子的圖；

圖10和11是顯示在根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件中的蝕刻保護(hù)層的反射因子的圖；

圖12是顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光設(shè)備的圖。

具體實(shí)施方式

在實(shí)施方案的描述中，應(yīng)理解，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)稱為在另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一墊或另一圖案“上”或“下”時(shí)，其可以“直接地”或者“間接地”在所述另一襯底、層(或膜)、區(qū)域、墊、或圖案上或下，或也可存在一個(gè)或更多個(gè)中間層。層的這種位置參考附圖進(jìn)行描述。

為了方便和清楚的目的，附圖中顯示的各層的厚度和尺寸可進(jìn)行放大、省略或者示意地繪出。此外，元件的尺寸并不絕對(duì)地反映實(shí)際尺寸。

圖1～6是顯示制造根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的方法的截面圖。

參考圖1，在生長(zhǎng)襯底1上形成包括緩沖層的氮化物半導(dǎo)體層2，在氮化物半導(dǎo)體層2上形成包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層3、有源層4和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的發(fā)光結(jié)構(gòu)6。

各種襯底，例如Al₂O₃、Si、SiC、GaAs、ZnO和MgO襯底，可用作生長(zhǎng)襯底1。氮化物半導(dǎo)體層2可包括未摻雜的GaN層，發(fā)光結(jié)構(gòu)6可包括GaN基半導(dǎo)體層。

第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層3可包括摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑的第III-V族化合物半導(dǎo)體。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層3可包括：GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或者AlGaInP。如果第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層3是N型半導(dǎo)體層，則第一導(dǎo)電摻雜劑是N型摻雜劑，例如Si、Ge、Sn、Se或者Te。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層3可具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施方案不限于此。