[發明專利]發光器件、其制造方法、發光設備和照明系統有效
| 申請號： | 201010135767.7 | 申請日： | 2010-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN101834255A | 公開（公告）日： | 2010-09-15 |
| 發明（設計）人： | 樸德炫 | 申請（專利權）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/48;H01L33/62;F21S2/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 器件 制造 方法 設備 照明 系統 | ||
1.一種發光器件，包括：
導電襯底；
在所述導電襯底上的反射層；
在所述導電襯底的上表面的周邊部分上的蝕刻保護層；和
發光結構，所述發光結構形成在所述反射層和所述蝕刻保護層上使得所述蝕刻保護層部分暴露，所述發光結構包括：第一導電半導體層、第二導電半導體層以及在所述第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的有源層，
其中所述蝕刻保護層包括具有第一折射率的第一折射層和具有大于所述第一折射率的第二折射率的第二折射層。
2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述蝕刻保護層與所述導電襯底在垂直方向上交疊并與所述發光結構在垂直方向上部分交疊。
3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一折射層和第二折射層交替堆疊。
4.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一折射層包括SiO2和Al2O3中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第二折射層包括Si、Si-H、Si3N4、SiN、TiO2和ZrO2中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：在所述導電襯底和所述反射層之間的籽層或者接合層。
7.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：在所述反射層和所述發光結構之間的歐姆接觸層和粘合層中的至少一個。
8.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：在所述發光結構上的具有光提取結構的氮化物半導體層。
9.根據權利要求1所述的發光器件，其中提供至少兩對第一折射層和第二折射層。
10.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一折射層和第二折射層分別具有mλ/4n的厚度，其中λ是由所述發光結構發出的光的波長，n是所述第一折射層或者所述第二折射層的折射率，m是奇數。
11.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一折射層比所述第二折射層厚。
12.一種發光器件封裝，包括：
封裝體；
在所述封裝體上的發光器件；
與所述發光器件電連接的電極；和
包圍所述發光器件的包封層，
其中所述發光器件包括：
導電襯底；
在所述導電襯底上的反射層；
在所述導電襯底的上表面的周邊部分上的蝕刻保護層；和
發光結構，所述發光結構形成在所述反射層和所述蝕刻保護層上使得所述蝕刻保護層部分暴露，
其中所述蝕刻保護層包括具有第一折射率的第一折射層和具有大于所述第一折射率的第二折射率的第二折射層。
13.一種制造發光器件的方法，所述方法包括：
在生長襯底上形成包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層的發光結構；
在所述發光結構上形成反射層和蝕刻保護層；
在所述反射層和所述蝕刻保護層上形成導電襯底；
移除所述生長襯底，和移除所述發光結構以使得所述蝕刻保護層部分暴露；和
在所述第一導電半導體層上形成電極，
其中所述蝕刻保護層包括具有第一折射率的第一折射層和具有大于所述第一折射率的第二折射率的第二折射層。
14.一種照明系統，包括：
發光器件封裝，該發光器件封裝包括：封裝體、在所述封裝體上的發光器件、與所述發光器件電連接的電極、和包圍所述發光器件的包封層，
其中所述發光器件包括：
導電襯底；
在所述導電襯底上的反射層；
在所述導電襯底的上表面的周邊部分上的蝕刻保護層；和
發光結構，所述發光結構形成在所述反射層和所述蝕刻保護層上使得所述蝕刻保護層部分暴露，
其中所述蝕刻保護層包括具有第一折射率的第一折射層和具有大于所述第一折射率的第二折射率的第二折射層。
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