[發明專利]半導體發光器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010135750.1
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN101840986A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 小島章弘;杉崎吉昭
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/50
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種半導體發光器件，包括：

襯底，其包括第一主表面和第二主表面，所述第一主表面包括凹陷和凸起，所述第二主表面形成在與所述第一主表面相反的一側上；

第一電極，其設置在所述第一主表面上；

半導體發光元件，其設置在所述第一電極上并電連接到所述第一電極；

第二電極，其設置在所述第二主表面上；以及

貫通電極，其被設置為穿過在所述凹陷處的所述襯底并電連接所述第一電極和所述第二電極。

2.根據權利要求1的器件，還包括熒光材料，其通過間隙而設置在所述第一主表面上方和所述半導體發光元件上方。

3.根據權利要求2的器件，其中在所述間隙與所述熒光材料之間設置加強膜，所述加強膜為電介質且對于所述半導體發光元件所發射的光是透明的。

4.根據權利要求1的器件，其中所述半導體發光元件被安裝在所述凸起的上表面上。

5.根據權利要求1的器件，其中所述襯底的所述凸起的上表面的表面積大于所述襯底的所述凹陷的底表面的表面積。

6.根據權利要求5的器件，其中所述半導體發光元件被安裝在所述凸起的所述上表面上。

7.根據權利要求1的器件，其中在所述半導體發光元件的表面上設置抗反射涂層。

8.根據權利要求1的器件，其中在所述襯底與所述第一電極之間、以及所述襯底與所述第二電極之間設置電介質膜。

9.根據權利要求1的器件，還包括互連金屬，其設置在所述凸起的側表面上并被連接到所述第一電極和所述貫通電極。

10.一種制造半導體發光器件的方法，包括以下步驟：

在包括第一主表面和第二主表面的襯底的所述第一主表面上形成第一電極，所述第一主表面包括凹陷和凸起，所述第二主表面形成在與所述第一主表面相反的一側上；

在所述凹陷處的所述襯底中形成連接孔以在所述第一主表面與所述第二主表面之間連通；

在所述連接孔中和所述第二主表面上形成第二電極；

電連接所述第一電極和所述第二電極；以及

在所述第一電極上安裝半導體發光元件。

11.根據權利要求10的方法，還包括在形成所述連接孔之前研磨所述襯底的所述第二主表面以減薄所述襯底。

12.根據權利要求10的方法，其中所述半導體發光元件形成在發光元件襯底上，并且在所述發光元件襯底附著在所述發光元件上的條件下將所述半導體發光元件安裝在所述第一電極上。

13.根據權利要求12的方法，其中在安裝所述半導體發光元件之后去除所述發光元件襯底。

14.一種制造半導體發光器件的方法，包括以下步驟：

在襯底的第一主表面上形成第一電極；

在所述襯底中形成連接孔以從所述第一主表面連通到第二主表面，所述第二主表面位于與所述第一主表面相反的一側上；

在所述連接孔中和所述第二主表面上形成第二電極；

電連接所述第一電極和所述第二電極；

在所述第一電極上安裝半導體發光元件；

形成犧牲層以覆蓋所述半導體發光元件；

在所述犧牲層上形成加強膜；

通過在所述加強膜中形成的開口去除所述犧牲層，以在所述半導體發光元件與所述加強膜之間形成間隙；

在所述加強膜上形成熒光材料；以及

進行熱處理以改造所述熒光材料。

15.根據權利要求14的方法，其中所述熱處理包括從所述熒光材料的頂表面側激光輻射所述熒光材料。

16.根據權利要求14的方法，還包括在形成所述連接孔之前研磨所述襯底的所述第二主表面以減薄所述襯底。

17.根據權利要求14的方法，其中所述半導體發光元件形成在發光元件襯底上，并且在所述發光元件襯底附著在所述發光元件上的條件下將所述半導體發光元件安裝在所述第一電極上。

18.根據權利要求17的方法，其中在安裝所述半導體發光元件之后去除所述發光元件襯底。

19.根據權利要求14的方法，還包括在形成所述第一電極之前在所述襯底的所述第一主表面上形成凸起和凹陷，所述第一電極形成在所述凸起上。

20.根據權利要求19的方法，其中所述連接孔被形成為從所述襯底的所述第二主表面到達所述第一主表面的所述凹陷。