[發明專利]半導體發光器件及其制造方法無效
| 申請號: | 201010135750.1 | 申請日: | 2010-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN101840986A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發明(設計)人: | 小島章弘;杉崎吉昭 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 楊曉光;于靜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 發光 器件 及其 制造 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請基于在2009年3月18日提交的在先的日本專利申請No.2009-065646并要求其優先權,并通過引用將其全部內容并入到這里。
技術領域
本發明涉及半導體發光器件及其制造方法。
背景技術
雖然用于照明的半導體發光器件在一些情況下需要單色光發射,但是基本上仍需要接近太陽光的白光。白光半導體光源包括基色(RGB)器件陣列、使用通過藍光發光器件與由在藍光發光器件的襯底缺陷處的自激勵光發射所產生的黃光而實現的顏色混合的贗白光源、使用紫外發光器件的基色熒光材料激勵光源等等(例如,JP-A?2007-243054(KoKai),JP-A2008-112867(KoKai)以及JP-A?2006-339060(KoKai))。
對于這樣的半導體發光器件,已知去除在晶體生長期間使用的發光器件襯底的技術,例如JP-A?2004-284831(KoKai)、Pioneer?R&D,2000,Vol.12,No.3,p.77等等。用于密封晶片形式的功能器件的已知技術包括Electronic?Components?&?Technology?Conference,2008,p.824等等。
在利用半導體發光器件替代白熾燈泡和熒光燈作為照明的情況下,需要相對高的光輸出。因此,半導體發光器件的不充分散熱易于造成不希望地劣化用于保護半導體發光器件的密封樹脂。
半導體發光器件本身的壽命比白熾燈泡的壽命長得多。半導體發光器件變得不穩定的主要原因包括電極部分的金屬的氧化、劣化和過熱、由振動導致的內部金線短路等等。產品壽命是指透光能力由于密封樹脂劣化而下降并且發光量下降到恒定值之下時的點。具體而言,在使用發射藍到紫外光的發光器件的熒光材料激勵型的部件中的樹脂易于由于來自激勵器件和紫外線的熱而劣化;因此難以實現高輸出和長壽命。
在其中發光器件被安裝在硅襯底等等上的封裝結構中,由于需要良好的散熱性和柔韌性等等,因此希望襯底較薄。然而,從易于處理、可靠性等等的方面考慮,當使襯底的整個表面變得更薄時會遇到一些限制。
發明內容
根據本發明的一方面,提供一種半導體發光器件,其包括:襯底,其包括第一主表面和第二主表面,所述第一主表面包括凹陷和凸起,所述第二主表面形成在與所述第一主表面相反的一側上;第一電極,其設置在所述第一主表面上;半導體發光元件,其設置在所述第一電極上并電連接到所述第一電極;第二電極,其設置在所述第二主表面上;以及貫通電極,其被設置為穿過在所述凹陷處的所述襯底并電連接所述第一電極和所述第二電極。
根據本發明的另一方面,提供一種制造半導體發光器件的方法,包括以下步驟:在包括第一主表面和第二主表面的襯底的所述第一主表面上形成第一電極,所述第一主表面包括凹陷和凸起,所述第二主表面形成在與所述第一主表面相反的一側上;在所述凹陷處的所述襯底中形成連接孔以在所述第一主表面與所述第二主表面之間連通;在所述連接孔中和所述第二主表面上形成第二電極;電連接所述第一電極和所述第二電極;以及在所述第一電極上安裝半導體發光元件。
根據本發明的又一方面,提供一種制造半導體發光器件的方法,包括以下步驟:在襯底的第一主表面上形成第一電極;在所述襯底中形成連接孔以從所述第一主表面連通到第二主表面,所述第二主表面位于與所述第一主表面相反的一側上;在所述連接孔中和所述第二主表面上形成第二電極;電連接所述第一電極和所述第二電極;在所述第一電極上安裝半導體發光元件;形成犧牲層以覆蓋所述半導體發光元件;在所述犧牲層上形成加強膜;通過在所述加強膜中形成的開口去除所述犧牲層,以在所述半導體發光元件與所述加強膜之間形成間隙;在所述加強膜上形成熒光材料;以及進行熱處理以改造(reform)所述熒光材料。
附圖說明
圖1是根據實施例的半導體發光器件的示意性截面視圖;
圖2是示出了半導體發光器件的主要部件的平面布局的示意性視圖;以及
圖3A到6C是示出了用于制造根據該實施例的半導體發光器件的方法的示意性視圖。
具體實施方式
下面將參考附圖描述本發明的實施例。雖然在這里描述了作為實例的幾個特定的配置,但本發明并不局限于下文中描述的實施例;并且使用具有相似功能的配置同樣可以實施本發明。
圖1是根據實施例的半導體發光器件的示意性截面視圖。圖2示例了在圖1中示例的主要部件的平面布局實例。圖1對應于沿圖2的線A-A’截取的截面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社東芝,未經株式會社東芝許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010135750.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:陣列天線及其雷達設備
- 下一篇:發光元件





