[發明專利]襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201010135425.5
• 申請日: 2010-03-15
• 公開（公告）號: CN101840844A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 油谷幸則;中島誠世;島田真一
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉

技術領域

本發明涉及襯底處理裝置。

背景技術

若將在晶片處理室被實施了高溫處理的晶片直接向移載室卸載，則由于來自晶片的放熱，而引起晶片移載室內的耐熱性低的零件熔融、故障、有機成分等的脫氣等，由此，產生裝置停止或晶片污染等問題。因此，在現有的縱型半導體制造裝置中，將處理完畢的晶片在晶片處理室內放置到其下降至某一程度的溫度，然后，向移載室卸載。由于晶片的放置時間對吞吐能力產生影響，因此，為了縮短該放置時間，設置用于從晶片處理室整體除去熱量而排出大量的空氣的機構、或者采取向晶片處理室內流通惰性氣體等對策。

但是，為了除去熱容量微小的晶片的熱量，而從熱容量絕對大的晶片處理室整體將熱量除去很不容易，在設備和能量方面浪費也很多。另外，在晶片處理室內，因大量地流通惰性氣體而產生的成膜顆粒或副產物顆粒的飛散成為成品率低下的原因。

專利文獻1中公開了一種半導體制造裝置，在該半導體制造裝置中，為了提高處理后的舟皿、晶片與升降驅動部之間的熱遮蔽性，而使升降驅動部的臂支承部成為在熱遮蔽板旁迂回并在水平方向上延伸的形狀，熱遮蔽板成為非接觸地在臂支承部的內部的上下貫通的狀態。

專利文獻1：日本特開2005-285926號公報

然而，在現有的技術中，存在處理后的晶片的冷卻時間較長，吞吐能力低下的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種能夠縮短處理后的晶片的冷卻時間，提高吞吐能力的襯底處理裝置。

為了實現上述目的，本發明的襯底處理裝置具有：處理室，對襯底進行處理；襯底支承部件，支承襯底，并將支承的襯底向所述處理室內搬運；移載機，將襯底搬運到所述襯底支承部件上；以及非密閉型的遮蔽部，其設在所述襯底支承部件與所述移載機之間。由此，能夠縮短處理后的晶片的冷卻時間。

優選地，所述遮蔽部具有吹出清潔氣體的吹出部。

優選地，所述遮蔽部被設置為能夠在對由所述襯底支承部件支承的襯底進行冷卻的冷卻位置和從該冷卻位置退避的退避位置之間移動，所述遮蔽部在所述襯底支承部件將搬入到所述處理室內的襯底從所述處理室內搬出之前移動到冷卻位置，從處于冷卻位置上的所述遮蔽部的所述吹出部吹出的清潔氣體的流量，比處于退避位置時的流量大。由此，能夠防止顆粒飛散。

優選地，從所述吹出部向由所述襯底支承部件支承的襯底吹出的清潔氣體的流量逐漸增大。由此，能夠防止襯底因急劇冷卻而發生破損。

優選地，從所述吹出部向由所述襯底支承部件支承的襯底吹出的清潔氣體的溫度逐漸降低。由此，能夠防止襯底因急劇冷卻而發生破損。

優選地，在與所述遮蔽部相對的位置上設置排氣裝置。

優選地，總是從所述吹出部吹出清潔氣體。由此，能夠防止吹出部被灰塵等阻塞。

優選地，所述遮蔽部對由所述襯底支承部件支承的襯底周邊的環境氣體進行吸引。

優選地，所述遮蔽部具有向所述襯底支承部件的整個襯底載置區域吹出清潔氣體的供給部。由此，能夠同時對整個所述襯底支承部件進行冷卻。

發明的效果

根據本發明，能夠提供一種使處理后的晶片的冷卻時間縮短，并提高吞吐能力的襯底處理裝置。

附圖說明

圖1是本發明的一個實施方式的襯底處理裝置的立體透視圖。

圖2是本發明的一個實施方式的襯底處理裝置的側剖視圖。

圖3是本發明的一個實施方式中使用的熱遮蔽板的后視圖。

圖4是本發明的一個實施方式中使用的熱遮蔽板的主視圖。

圖5是本發明的一個實施方式中使用的熱遮蔽板的說明圖，圖5(a)是熱遮蔽板位于退避位置時的俯視圖，圖5(b)是熱遮蔽板位于冷卻位置時的俯視圖。

圖6是本發明的一個實施方式中使用的熱遮蔽板的說明圖，圖6(a)是熱遮蔽板位于退避位置時的俯視圖，圖6(b)是熱遮蔽板位于冷卻位置時的俯視圖。

附圖標記說明

10????襯底處理裝置

12????框體

14????晶片

16????盒體

36????晶片移載機構

38????舟皿

40????處理爐

50????熱遮蔽板

52????排氣裝置

68????冷卻氣體

70????冷卻氣體吹出部

70a???吹出孔

具體實施方式