[發(fā)明專(zhuān)利]襯底處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010135425.5 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101840844A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 油谷幸則;中島誠(chéng)世;島田真一 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社日立國(guó)際電氣 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳偉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 裝置 | ||
1.一種襯底處理裝置,其特征在于,具有:
處理室,對(duì)襯底進(jìn)行處理;
襯底支承部件,支承襯底,并將支承的襯底向所述處理室內(nèi)搬運(yùn);
移載機(jī),將襯底搬運(yùn)到所述襯底支承部件上;以及
非密閉型的遮蔽部,其設(shè)在所述襯底支承部件與所述移載機(jī)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,
所述遮蔽部具有吹出清潔氣體的吹出部。
3.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置,其特征在于,
所述遮蔽部被設(shè)置為能夠在對(duì)由所述襯底支承部件支承的襯底進(jìn)行冷卻的冷卻位置和從該冷卻位置退避的退避位置之間移動(dòng),所述遮蔽部在所述襯底支承部件將搬入到所述處理室內(nèi)的襯底從所述處理室內(nèi)搬出之前移動(dòng)到冷卻位置,從處于冷卻位置上的所述遮蔽部的所述吹出部吹出的清潔氣體的流量,比處于退避位置時(shí)的流量大。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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