[發明專利]具有內嵌式芯片及硅導通孔晶粒之堆棧封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201010135373.1
• 申請日: 2010-03-30
• 公開（公告）號: CN101859752A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 楊文焜
• 申請（專利權）人: 楊文焜
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/48;H01L23/482;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京挺立專利事務所 11265
• 代理人: 葉樹明

1.一種半導體組件封裝結構，其特征在于，包含：

一第一晶粒具有一硅導通孔，其開口于所述第一晶粒的背側以顯露出接合墊；

一增層耦接于所述接合墊及末端金屬墊間，并藉由所述硅導通孔耦接所述接合墊及末端金屬墊；

一基板是內嵌一第二晶粒，上電路配線及下電路配線分別設于所述基板的上側與下側；及

一導電通孔結構用以耦接所述末端金屬墊與上電路配線及下電路配線。

2.如權利要求1所述半導體組件封裝結構，其特征在于，所述增層包含一第一介電層，及一第二介電層于所述第一介電層上方。

3.如權利要求1所述半導體組件封裝結構，其特征在于，所述基板的材質包含FR4、FR5、BT、PI及環氧樹脂。

4.如權利要求1所述半導體組件封裝結構，其特征在于，更包含黏著材質包覆所述第二晶粒，其中所述黏著材質更包含彈性材質。

5.如權利要求1所述半導體組件封裝結構，其特征在于，所述導電通孔結構的材質包含Cu、Cu/Ni或Sn/Ag/Cu。

6.如權利要求1所述半導體組件封裝結構，其特征在于，更包含一上增層形成于所述第二晶粒及基板上，其中所述上增層包含一第三介電層、一重布線路層(RDL)、一孔洞耦接所述第二晶粒的金屬墊及重布線路層，以及一第四介電層于所述第三介電層以覆蓋所述重布線路層。

7.如權利要求1所述半導體組件封裝結構，其特征在于，更包含一下增層形成于所述第二晶粒及基板下方，其中所述下增層包含一第五介電層、一第二重布線路層、一第二末端金屬墊耦接于所述第二重布電路層，以及一第六介電層于所述第五介電層以覆蓋所述第二重布線路層。

8.如權利要求1所述半導體組件封裝結構，其特征在于，更包含一第二基板于所述第一基板下方，其中所述第二基板具有第二上電路配線及第二下電路配線分別于所述第二基板的上側及下側。

9.一種形成半導體晶粒組裝的方法，其特征在于，包含：

接合一平面基板面向一硅晶圓的背側；

固化一黏著介電層，所述黏著介電層是形成于所述平面基板上；

濺鍍一種晶金屬層于該所述面基板的背側；

涂布一光阻層于所述平面基板的背側并顯露一通孔區域；

填入金屬材質至所述通孔區域以內連接一晶粒的接合墊與所述平面基板的末端墊；以及

除去所述光阻層并蝕刻所述種晶金屬層。

10.如權利要求9所述形成半導體晶粒組裝的方法，其特征在于，更包含：

于接合所述平面基板及所述晶圓的前，對齊所述平面基板的電路側以面向所述硅晶圓的背側；及

于除去所述光阻層的后，形成焊球于所述平面基板的凸塊下金屬層(UBM)上。