[發明專利]基板結構及其制造方法有效
| 申請號: | 201010135181.0 | 申請日: | 2010-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN102194829A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發明(設計)人: | 廖學一;呂奇明;蘇俊瑋 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 陳紅 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 板結 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明有關于一種基板結構,特別是有關于一種應用于軟性電子元件的基板結構及其制造方法。
背景技術
軟性顯示器已成為新時代新穎顯示器的發展趨勢,而發展有源式軟性顯示器更是主流趨勢,世界各大研發公司均由現行厚重且易破碎的玻璃基板跨入非玻璃系且重量更輕的軟性塑料基板材料發展,并朝向有源式全彩的TFT顯示面板邁進。目前,針對開發有源式軟性顯示器的技術有a-Si?TFT、LPTSTFT及OTFT三種選擇,在顯示介質的部分包含EPD、ECD、LCD及EL。
在制造方式的選擇可以分成batch?type及roll?to?roll兩種方式,若選擇batch?type方式進行TFT元件制造,可利用現有TFT設備進行制作,具有相當優勢,但必須發展所謂基板轉移或離膜技術,將軟性顯示器從玻璃上轉移到其它塑料基板上或取下。而以roll?to?roll方式則必須利用全新設備來進行,并必須克服轉動及接觸所引發的相關問題。
以batch?type方式進行制造TFT結構主要有三種方式,一為SEC利用PES當基板轉貼于硅芯片上,利用低溫a-Si?TFT技術開發7”VGA(640×480)plastic?LCD,而此法需要一耐高溫、低熱膨脹系數、低光遲滯性且抗化性佳的高透明基板材料,并配合適當的膠材及良好的離型技術。二為Seiko?Epson以LPTS?transfer技術進行TFT背板開發,在玻璃基板上進行LPTS?TFT背板制作,完成后,Seiko?Epson再利用激光退火(laser?annealing)。所謂transfer技術主要優點為TFT元件工藝溫度不受塑料基板的限制,因此,有較好的特性,故一般具高透光性塑料基板便可以被用來使用,但其transfer機制及轉貼技術顯得更加重要。另外,第三種為Philips利用聚亞酰胺(PI)涂布于玻璃上,進行a-Si?TFT-EPD顯示器的開發,并利用transfer技術將PI基板在玻璃上取下。該技術雖然利用傳統PI塑料基板而具有耐高溫的特性,直接涂布于玻璃上,不但工藝溫度可以超過300℃,又可以省去轉貼的步驟,但仍必須利用激光去除玻璃基板。
由于與軟性基板材料不匹配且熱阻低,因此,傳統離型層材料并不適合應用于TFT工藝。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種適合應用于軟性電子元件的基板結構及其制造方法。
本發明的一實施例提供一種應用于軟性電子元件的基板結構,包括:一支撐載體;一離型層,以一第一面積覆蓋該支撐載體;以及一軟性基板,以一第二面積覆蓋該離型層與該支撐載體,其中該第二面積大于該第一面積且該軟性基板對該支撐載體的密著度大于該離型層對該支撐載體的密著度。
本發明的一實施例提供一種應用于軟性電子元件的基板結構的制造方法,包括:提供一支撐載體;以一第一面積覆蓋一離型層于該支撐載體上;以及以一第二面積覆蓋一軟性基板于該離型層與該支撐載體上,其中該第二面積大于該第一面積且該軟性基板對該支撐載體的密著度大于該離型層對該支撐載體的密著度。該制造方法還包括以該離型層的兩端點或其內側為切除點,切除部分該軟性基板與該支撐載體,以分離該離型層、該軟性基板與該支撐載體。
本發明將離型層材料涂布于支撐載體(例如玻璃基板)上,以形成一或復數個區塊。之后,將軟性基板材料涂布于離型層與支撐載體上,以形成一雙層基板結構,適合應用于軟性基板的分離。
本發明提供一種可通過現有半導體設備制作的應用于軟性電子元件的基板結構,其利用兩種離型層與支撐載體密著度的差異,先將密著度較差的離型層以較小面積成型于支撐載體上,再將與支撐載體密著度較佳的離型層(例如軟性顯示器基板)以較大面積覆蓋在較差密著度的離型層上并與支撐載體有接觸。以該方式制作的基板結構,可確保其在TFT工藝中不會脫落,并在完成工藝后,將外邊未含密著度較差離型層的部分切除,即可輕易分離密著度較佳的離型層與支撐載體。分離后,密著度較佳的離型層(例如軟性顯示器基板)仍可保持完整,不致損傷。
附圖說明
為使本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂,下文特舉一較佳實施例,并配合所附附圖,作詳細說明如下:
圖1是根據本發明的一實施例,一種應用于軟性電子元件的基板結構的剖面示意圖;
圖1A是根據本發明的一實施例,一種應用于軟性電子元件的基板結構的上視圖;
圖2A~2D為本發明的一實施例,一種應用于軟性電子元件的基板結構的制造方法的剖面示意圖。
【主要元件符號說明】
10:基板結構
12:支撐載體
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





