[發明專利]基板結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201010135181.0
• 申請日: 2010-03-11
• 公開（公告）號: CN102194829A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 廖學一;呂奇明;蘇俊瑋
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/78
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，包括：

一支撐載體；

一離型層，以一第一面積覆蓋該支撐載體；以及

一軟性基板，以一第二面積覆蓋該離型層與該支撐載體，其中該第二面積大于該第一面積且該軟性基板對該支撐載體的密著度大于該離型層對該支撐載體的密著度。

2.根據權利要求1所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該支撐載體包括玻璃或硅晶片。

3.根據權利要求1所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該離型層對該支撐載體的密著度為0B～1B。

4.根據權利要求1所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該離型層包括聚對二甲苯或環烯共聚物。

5.根據權利要求4所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該環烯共聚物具有下列化學式(I)或(II)：

其中X為30～70，X+Y為100，R為氫、甲基或乙基。

6.根據權利要求5所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該環烯共聚物溶于有機溶劑。

7.根據權利要求1所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該離型層包括一或復數個區塊。

8.根據權利要求1所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該離型層的固含量介于1～20％。

9.根據權利要求1所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該離型層的厚度介于0.2～20微米。

10.根據權利要求1所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該離型層的厚度介于0.5～5微米。

11.根據權利要求1所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該軟性基板對該支撐載體的密著度為1～5B。

12.根據權利要求1所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該軟性基板包括聚亞酰胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚醚亞酰胺。

13.根據權利要求12項所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該聚亞酰胺具有下列化學式(III)：

其中

A包括或X與Y為氫、甲基、三氟甲基、羥基、-OR(R為碳數1～18的烷基)、溴、氯或碘，Z為-O-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-SO₂-、-Ar-O-Ar-、-Ar-CH₂-Ar-、-Ar-C(CH₃)₂-Ar-或-Ar-SO₂-Ar-(Ar為苯環)；B包括或X與Y為氫、甲基、三氟甲基、羥基、-OR(R為碳數1～18的烷基)、溴、氯或碘，Z為-O-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-SO₂-、-Ar-O-Ar-、-Ar-CH₂-Ar-、-Ar-C(CH₃)₂-Ar-或-Ar-SO₂-Ar-(Ar為苯環)；以及

n為大于1的整數。

14.根據權利要求12所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該軟性基板還包括一硅氧烷化合物。

15.根據權利要求14所述的應用于軟性電子元件的基板結構，其特征在于，其中該軟性基板還包括氧化硅。

16.一種應用于軟性電子元件的基板結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供一支撐載體；

以一第一面積覆蓋一離型層于該支撐載體上；以及

以一第二面積覆蓋一軟性基板于該離型層與該支撐載體上，其中該第二面積大于該第一面積且該軟性基板對該支撐載體的密著度大于該離型層對該支撐載體的密著度。