[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010134596.6
• 申請日: 2010-03-15
• 公開（公告）號: CN101859769A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 高橋徹雄;大月高實
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/92;H01L29/06;H01L21/77;H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;王丹昕

1.一種半導體裝置，其中，具備：

襯底，具有主表面；

第一導電型的第一雜質區域，在所述襯底內形成；

第二導電型的表面降場層，在所述第一雜質區域內的所述主表面形成；

第二導電型的第二雜質區域，與所述表面降場層相比具有高雜質濃度，并且在所述第一雜質區域內的所述主表面中與所述表面降場層接觸而形成；以及

多個場板，

在所述多個場板中至少一個與所述第一雜質區域電連接，并且在所述多個場板中至少另一個與所述第二雜質區域電連接，

所述多個場板包含下部場板和上部場板，所述下部場板能夠在與所述襯底之間形成下部電容耦合，所述上部場板在與所述下部場板相比從所述襯底離開的位置形成，并且能夠在與所述下部場板之間形成具有比所述下部電容耦合的電容大的電容的上部電容耦合。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，還具備：

下部介電膜，在所述襯底和所述下部場板之間形成；以及

上部介電膜，在所述下部場板和所述上部場板之間形成，并且由與所述下部介電膜不同材料構成。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述下部介電膜的厚度比所述上部介電膜的厚度大。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述上部介電膜的介電常數比所述下部介電膜的介電常數大。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述下部介電膜由氧化硅構成，并且所述上部介電膜由氮化硅構成。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述下部場板包含與所述第二雜質區域電連接的第一低壓側板，所述第一低壓側板在平面觀察中超過所述主表面的所述表面降場層與所述第二雜質區域的邊界線并向所述表面降場層側延伸。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，所述下部場板還包含：第二低壓側板，在與所述第一低壓側板相比從所述第二雜質區域離開的一側和所述第一低壓側板鄰接；以及第三低壓側板，在與所述第二低壓側板相比從所述第二雜質區域離開的一側和所述第二低壓側板鄰接，所述第一低壓側板和所述第二低壓側板的距離，比所述第二低壓側板和所述第三低壓側板的距離大。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述下部場板包含與所述第一雜質區域電連接的第一高壓側板，所述第一高壓側板在平面觀察中超過所述主表面的所述第一雜質區域和所述表面降場層的邊界線并向所述表面降場層側延伸。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述下部場板還包含：第二高壓側板，在與所述第一高壓側板相比接近所述第二雜質區域的一側和所述第一高壓側板鄰接；以及第三高壓側板，在與所述第二高壓側板相比接近所述第二雜質區域的一側和所述第二高壓側板鄰接，所述第一高壓側板和所述第二高壓側板的距離，比所述第二高壓側板和所述第三高壓側板的距離大。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述下部場板包含：第一低壓側下部板，最接近于所述主表面的所述表面降場層和所述第二雜質區域的邊界線；以及第二低壓側下部板，在與所述第一低壓側下部板相比從所述第二雜質區域離開的一側和所述第一低壓側下部板鄰接，

以所述第一低壓側下部板和所述上部場板構成的電容元件的電容，是以所述第二低壓側下部板和所述上部場板構成的電容元件的電容以上。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述第一低壓側下部板的與所述上部場板相向的部分的表面積，是所述第二低壓側下部板的與所述上部場板相向的部分的表面積以上。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述下部場板包含：第一高壓側下部板，最接近于所述主表面的所述第一雜質區域和所述表面降場層的邊界線；以及第二高壓側下部板，在與所述第一高壓側下部板相比接近于所述第二雜質區域的一側與所述第一高壓側下部板鄰接，

以所述第一高壓側下部板和所述上部場板構成的電容元件的電容，是以所述第二高壓側下部板和所述上部場板構成的電容元件的電容以上。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中，所述第一高壓側下部板的與所述上部場板相向的部分的表面積，是所述第二高壓側下部板的與所述上部場板相向的部分的表面積以上。