[發(fā)明專利]薄膜半導體裝置、電光裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010133968.3
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN101834190A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廣島安
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/528;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 陳海紅;劉瑞東

1.一種薄膜半導體裝置，其特征在于，

在基板上具有溝道為N型的薄膜晶體管和溝道為P型的薄膜晶體管，

上述N型的薄膜晶體管的源極區(qū)域和上述P型的薄膜晶體管的源極區(qū)域在至少部分區(qū)域中相鄰配置，并且經(jīng)由在上述部分區(qū)域形成的1個接觸孔與第1電極連接，

上述N型的薄膜晶體管的漏極區(qū)域和上述P型的薄膜晶體管的漏極區(qū)域在至少部分區(qū)域中相鄰配置，并且經(jīng)由在上述部分區(qū)域形成的1個接觸孔與第2電極連接。

2.權(quán)利要求1所述的薄膜半導體裝置，其特征在于，

在上述基板上分別形成多個在規(guī)定的方向上延伸的信號線和在與該信號線交差的方向上并行延伸的第1掃描線和第2掃描線，

上述第1電極或上述第2電極的一方是在由上述信號線、上述第1掃描線和上述第2掃描線所區(qū)分的區(qū)域形成的單位電極，或與該單位電極連接的電極，

上述第1電極或上述第2電極的另一方是上述信號線。

3.權(quán)利要求2所述的薄膜半導體裝置，其特征在于，

上述N型的薄膜晶體管的柵極電極與上述第1掃描線電氣連接，上述P型的薄膜晶體管的柵極電極與上述第2掃描線電氣連接，

上述N型的薄膜晶體管的柵極電極和上述P型的薄膜晶體管的柵極電極，在上述第1掃描線或上述第2掃描線延伸的方向上偏移形成。

4.一種電光裝置，其特征在于，

每個像素具有被施加電壓或電流的像素電極，通過將上述電壓或電流的變化變換為光學變化的電光變換來顯示圖像，

具有權(quán)利要求2或3所述的薄膜半導體裝置，

上述薄膜半導體裝置中的上述單位電極形成為上述像素電極。

5.權(quán)利要求4所述的電光裝置，其特征在于，

上述像素是顯示色為紅色、綠色、藍色之一并在上述信號線的延伸方向上形成為按規(guī)定的順序排列上述顯示色的子像素。

6.權(quán)利要求4或5所述的電光裝置，其特征在于，

上述像素電極是反射光的反射電極。

7.權(quán)利要求4至6的任一項所述的電光裝置，其特征在于，

以上述薄膜半導體裝置作為一方的基板，以與該一方的基板對向配置的對向基板作為另一方的基板，在上述一方的基板和上述另一方的基板之間挾持有液晶層。

8.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有權(quán)利要求4至7的任一項所述的電光裝置。

9.一種薄膜半導體裝置，其特征在于，

在基板上具有溝道為N型的薄膜晶體管和溝道為P型的薄膜晶體管，

上述N型的薄膜晶體管的源極區(qū)域和上述P型的薄膜晶體管的源極區(qū)域在至少部分區(qū)域中相鄰配置，并且經(jīng)由在上述部分區(qū)域形成的1個接觸孔與第1電極連接，

上述N型的薄膜晶體管的漏極區(qū)域和上述P型的薄膜晶體管的漏極區(qū)域在至少部分區(qū)域中相鄰配置，并且經(jīng)由在上述部分區(qū)域形成的1個接觸孔與第2電極連接，

構(gòu)成上述N型的薄膜晶體管和上述P型的薄膜晶體管的半導體層一體形成為環(huán)狀。