[發(fā)明專利]一種生產(chǎn)高純鈷的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010133634.6
• 申請(qǐng)日: 2010-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN102206761A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘小亮;王廣欣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京品一材料科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): C22B23/06
• 分類號(hào): C22B23/06;C25C1/08
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

一種生產(chǎn)高純鈷的方法，涉及鈷鹽溶液的離子交換和活性炭吸附凈化處理，鈷的電積，電積鈷的真空脫氣和真空熔煉鑄錠。

背景技術(shù)

高純鈷是重要的電子材料。純度為99.9～99.99％的高純鈷在計(jì)算機(jī)硬盤中得到大量應(yīng)用。純度更高的鈷，如純度99.99～99.9995％的鈷，是計(jì)算機(jī)芯片中起非常關(guān)鍵作用的接觸層材料。

有關(guān)高純鈷的生產(chǎn)方法，已知的專利有美國(guó)專利號(hào)US6818119、US6843896、日本專利號(hào)JP11193483、中國(guó)專利公開號(hào)CN101538721、CN101302585。

美國(guó)專利US6818119和US6843896公開了一種方法，將CoSO₄溶液和CoCl₂溶液經(jīng)過(guò)離子交換、溶劑萃取、Fe[OH]₃沉淀再結(jié)晶等方法凈化，而后電解得到高純電解鈷。之后再將高純電解鈷真空熔煉得到高純鈷鑄錠。因?yàn)殡娊馓峒儠r(shí)，作為陽(yáng)極的低純鈷溶化進(jìn)入電解液，會(huì)污染陰極周圍的電解液，進(jìn)而影響陰極電解鈷的純度，US6818119和US6843896公開的方法采用一種特殊的薄膜將電解槽分為陰極槽和陽(yáng)極槽兩部分。金屬離子，包括Co和Ni、Fe等雜質(zhì)元素的離子，不能通過(guò)該薄膜，但Cl^-和SO₄^2-離子則能通過(guò)薄膜，從而保證了電解提純必須的電解液導(dǎo)電性。實(shí)際生產(chǎn)中，薄膜的損壞如果不被及時(shí)察覺(jué)，也導(dǎo)致陽(yáng)極溶液對(duì)陰極電解鈷的污染。另外，薄膜的維護(hù)、換新也多有不便之處。

日本專利JP11193483公開的方法，是兩步電積加真空電子束熔煉制備高純鈷的方法。這種方法生產(chǎn)成本高、耗能大。

中國(guó)專利公開號(hào)CN101538721和CN101302585公開的方法，采用鹽酸體系，以99.95％電積鈷為陽(yáng)極，電溶制備CoCl₂溶液，離子交換凈化處理后，通入電解槽進(jìn)行電積。高純電積鈷再經(jīng)真空電子束熔煉制備高純鈷鑄錠。該方法因?yàn)椴捎秒娙苤苽銫oCl₂溶液也存在生產(chǎn)成本高、耗能大的問(wèn)題。另外，CoCl₂溶液在電解過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生腐蝕性HCl霧氣，造成對(duì)設(shè)備、儀器的嚴(yán)重?fù)p壞。這些被腐蝕的設(shè)備儀器也可能對(duì)電解液造成污染。

發(fā)明內(nèi)容