[發明專利]一種生產高純鈷的方法

無效

• 申請號: 201010133634.6
• 申請日: 2010-03-29
• 公開（公告）號: CN102206761A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: 鐘小亮;王廣欣
• 申請（專利權）人: 北京品一材料科技有限責任公司
• 主分類號: C22B23/06
• 分類號: C22B23/06;C25C1/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種生產高純鈷的方法，其特征在于(1)將CoSO₄溶液或CoSO₄加CoCl₂的混合溶液通入特殊的離子交換樹脂進行凈化處理，(2)再通入電解槽進行電積，(3)將電積鈷進行真空脫氣和真空熔煉而得到高純鈷鑄錠。

2.根據權利要求1所述的一種生產高純鈷的方法，其特征在于直接用去離子水水溶硫酸鈷CoSO₄.7H₂O制備鈷濃度為60-100g/L(克/升)的鈷鹽溶液，然后加H₂SO₄調節鈷鹽溶液的pH值至1-3。

3.根據權利要求1所述的一種生產高純鈷的方法，其特征在于直接用去離子水水溶硫酸鈷CoSO₄.7H₂O和鹽酸鈷CoCl₂.6H₂O制備鈷濃度為60-100g/L(克/升)的鈷鹽溶液，然后加H₂SO₄或HCl調節鈷鹽溶液的pH值至1-3。CoSO₄和CoCl₂的比例大于4∶1。

4.根據權利要求1所述的一種生產高純鈷的方法，其特征在于將權利要求2所述鈷鹽溶液或權利要求3所述鈷鹽溶液用離子交換和活性炭吸附的方法進行凈化處理；離子交換樹脂至少包括對除Fe有良好效果的Diphonix樹脂和對除Ni有良好效果的M-4195樹脂；離子交換之后進行活性炭吸附處理。

5.根據權利要求1所述的一種生產高純鈷的方法，其特征在于將按權利要求4的方法凈化處理的CoSO₄溶液或CoSO₄+CoCl₂混合溶液通入電解槽進行電積得到電積高純鈷。電積陰極電流密度為100～300A/m²(安/平米)，鈷鹽溶液溫度為50～70℃。

6.根據權利要求1所述的一種生產高純鈷的方法，其特征在于將電積高純鈷進行真空脫氣；真空脫氣溫度在800℃以下。在大大低于鈷熔點溫度的真空脫氣可以避免脆性硫化鈷的產生，這對高純鈷的形變加工有利。

7.根據權利要求1所述的一種生產高純鈷的方法，其特征在于將經過真空脫氣處理的高純電積鈷進行真空熔煉制備高純鈷鑄錠。真空熔煉的方法可以是真空感應熔煉、真空電子束熔煉和真空自耗電極電弧熔煉等。

8.根據權利要求1所述的一種生產高純鈷的方法，其特征在于連續加入適量的、濃度適當的、未凈化處理的鈷鹽溶液以平衡系統內因電積和水分蒸發而出現的鈷濃度的變化。

9.根據權利要求1所述的一種生產高純鈷的方法，其特征在于確定適當的離子交換樹脂體積，以保證不會因為連續加入未凈化處理的鈷鹽溶液而引起電解槽內電解液雜質含量的升高。

10.根據權利要求1所述的一種生產高純鈷的方法，其特征在于合理控制未凈化處理的鈷鹽溶液濃度及添加速度和合理選擇離子交換樹脂體積及離子交換條件，從而達到電解槽內穩定的鈷濃度和穩定的雜質含量，進而保證高純鈷產品質量的穩定。