[發(fā)明專利]無基材壓敏粘合片、其生產(chǎn)方法及使用其的研磨方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010133392.0 | 申請日: | 2010-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN101831253A | 公開(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 土生剛志;淺井文輝;高橋智一;西尾昭德;新谷壽朗 | 申請(專利權(quán))人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | C09J7/02 | 分類號: | C09J7/02;C09J133/00;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基材 粘合 生產(chǎn) 方法 使用 研磨 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片、使用該壓敏粘合片研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法和生產(chǎn)該壓敏粘合片的方法,在使用該半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片的情況下,即使在將半導(dǎo)體晶片研磨至超薄水平后或者在研磨大直徑晶片后,也幾乎不產(chǎn)生半導(dǎo)體晶片的翹曲。
背景技術(shù)
近年來,隨著各種電子器件朝向小型化的趨勢以及隨著IC卡的普及,期望電子部件例如半導(dǎo)體晶片以及其它部件更進(jìn)一步薄型化。因此,需要使至今仍具有約350μm厚度的半導(dǎo)體晶片更加薄型化,從而具有至多約50μm的厚度。為了提高生產(chǎn)性,目前正研究進(jìn)一步增大半導(dǎo)體晶片的直徑。
通常,在生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片時,將電路圖案形成于晶片的正面,然后將晶片的背面用磨具(grinder)等研磨以具有預(yù)定的厚度。在此階段,出于保護(hù)晶片正面的目的,通常在將壓敏粘合片粘貼至晶片正面時研磨晶片的背面。此外,在將晶片加工以薄型化后,在將壓敏粘合片保持粘貼至晶片正面的同時,將晶片轉(zhuǎn)移至下一步驟。
然而,在晶片正面用壓敏粘合片保護(hù)的同時將晶片背面研磨至超薄水平的情況下,經(jīng)研磨的晶片可能經(jīng)常翹曲。翹曲的晶片存在的問題在于,在其輸送期間或在由其剝離壓敏粘合片時晶片經(jīng)常破裂。特別地,在研磨經(jīng)常用于本領(lǐng)域的具有直徑8英寸或12英寸的大尺寸晶片時或者在研磨用于IC卡等的薄晶片時,翹曲的問題很嚴(yán)重。
認(rèn)為研磨后晶片的翹曲可能大大地受到保留在粘貼至晶片的壓敏粘合片中的殘余應(yīng)力的影響。當(dāng)超薄地研磨具有粘貼至其上的壓敏粘合片的晶片時,認(rèn)為殘余應(yīng)力可能高于晶片的強(qiáng)度,并且晶片可能由于除去殘余應(yīng)力的力而翹曲。因此,為了降低殘余應(yīng)力,壓敏粘合片的構(gòu)造以各種方式得到改善或改進(jìn),并提出不產(chǎn)生殘余應(yīng)力的構(gòu)造。例如,專利文獻(xiàn)1提及半導(dǎo)體晶片保護(hù)用壓敏粘合片,其包括基材膜和壓敏粘合劑層,其中基材膜的拉伸彈性模量為0.6GPa。
專利文獻(xiàn)2提及用于加工半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合片,其包括基材和在所述基材上形成的壓敏粘合劑層,其中壓敏粘合片在其拉伸試驗中在伸長率為10%時在1分鐘后的應(yīng)力-松弛率為至少40%。
然而,這些壓敏粘合片的性能對于防止在超薄地研磨半導(dǎo)體晶片時或在研磨大直徑晶片時所研磨晶片的翹曲并非總是最佳。因此,期望提供半導(dǎo)體晶片保護(hù)用壓敏粘合片,該壓敏粘合片能夠更有效地防止所研磨晶片的翹曲。
隨著近來本領(lǐng)域朝向超薄地研磨晶片的趨勢,還期望防止在研磨晶片時晶片由于應(yīng)力而破裂以及防止晶片邊緣斷裂。
此外,隨著近年來朝向高密度、小型化、高功能半導(dǎo)體封裝的趨勢,芯片堆疊技術(shù)得到促進(jìn),其中認(rèn)為超薄化晶片的芯片之間的厚度波動是有問題的。芯片之間的厚度波動是因為晶片研磨時保護(hù)圖案的壓敏粘合片的厚度波動原樣直接轉(zhuǎn)移至研磨的芯片,因此壓敏粘合片的厚度精度在本領(lǐng)域中是重要的課題。
專利文獻(xiàn)1:JP-A-2000-212524
專利文獻(xiàn)2:JP-A-2000-150432
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片,以及提供使用壓敏粘合片研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法和生產(chǎn)壓敏粘合片的方法,該壓敏粘合片即使當(dāng)用于超薄地研磨半導(dǎo)體晶片或當(dāng)用于研磨大直徑半導(dǎo)體晶片時,也能夠良好地保護(hù)半導(dǎo)體晶片以致不翹曲,其在研磨時應(yīng)力分散性優(yōu)良,能夠防止半導(dǎo)體晶片破裂或其邊緣斷裂,和能夠確保研磨后晶片厚度的高精度。
即,本發(fā)明提供半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片,該壓敏粘合片在研磨半導(dǎo)體晶片背面時粘貼至半導(dǎo)體晶片的正面,該壓敏粘合片由壓敏粘合劑層組成,其中壓敏粘合劑層由UV固化型壓敏粘合劑形成,該UV固化型壓敏粘合劑包含主要由丙烯酸類單體可聚合化合物形成的聚合物,粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合劑層表面的壓敏粘合力大于其相反面的壓敏粘合力;該壓敏粘合劑層具有0.01MPa至500MPa的初始彈性模量。
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