[發明專利]無基材壓敏粘合片、其生產方法及使用其的研磨方法

無效

• 申請號: 201010133392.0
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN101831253A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 土生剛志;淺井文輝;高橋智一;西尾昭德;新谷壽朗
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C09J133/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種半導體晶片保護用無基材壓敏粘合片，其在研磨半導體晶片背面時粘貼至所述半導體晶片的正面，所述壓敏粘合片由壓敏粘合劑層組成，

其中所述壓敏粘合劑層由UV固化型壓敏粘合劑形成，所述UV固化型壓敏粘合劑包含主要由丙烯酸類單體可聚合化合物形成的聚合物，

其中所述粘貼至半導體晶片正面的壓敏粘合劑層表面的壓敏粘合力大于其相反面的壓敏粘合力，和

所述壓敏粘合劑層具有0.01MPa至500MPa的初始彈性模量。

2.根據權利要求1所述的無基材壓敏粘合片，其中與粘貼至所述半導體晶片正面的壓敏粘合劑層表面相反的壓敏粘合劑層表面是這樣的：根據滾球粘性試驗，在傾角為20°時，6號以上的球在其上不停止。

3.根據權利要求1所述的無基材壓敏粘合片，其中所述壓敏粘合劑層具有5μm至1000μm的厚度。

4.一種用于研磨半導體晶片背面的方法，該方法包括將根據權利要求1所述的無基材壓敏粘合片粘貼至所述半導體晶片的正面，同時將隔離體保持層壓在與粘貼至所述半導體晶片正面的壓敏粘合片表面相反的壓敏粘合片表面上；將所述壓敏粘合片與所述隔離體一起切斷；單獨剝離所述隔離體；然后研磨所述半導體晶片的背面。

5.一種用于生產根據權利要求1所述的無基材壓敏粘合片的方法，所述方法包括將壓敏粘合劑施涂至隔離體上，從而形成壓敏粘合劑層，所述壓敏粘合劑包含UV-反應性單體(或低聚物)或在側鏈中具有碳-碳雙鍵的聚合物和光聚合引發劑；在將所述壓敏粘合劑層的涂布面保持暴露的同時，用放射線照射所述壓敏粘合劑層，從而使面向所述隔離體的壓敏粘合劑層表面的壓敏粘合力低于其相反面的壓敏粘合力。