[發明專利]1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法有效
| 申請號: | 201010132962.4 | 申請日: | 2010-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN101928311A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發明(設計)人: | 封成軍;李興剛;胡東輝;畢曉明;蘇曉春;狄紹炎 | 申請(專利權)人: | 常州方圓制藥有限公司 |
| 主分類號: | C07H15/236 | 分類號: | C07H15/236;C07H1/00 |
| 代理公司: | 常州市江海陽光知識產權代理有限公司 32214 | 代理人: | 翁堅剛 |
| 地址: | 213022 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 乙基 慶大霉素 sub 制備 方法 | ||
1.一種1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法,其特征在于具有以下步驟:
①將3,2',6'-三-N-乙酰基慶大霉素C1a與六甲基二硅胺烷在三氯甲烷溶劑中,在濃硫酸的催化作用下加熱至回流而發生生成3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)慶大霉素C1a的硅烷化反應,直至反應完全;
②將步驟①得到的3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)慶大霉素C1a與乙醛在二氯甲烷溶劑中在8℃~12℃的溫度下進行生成3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)乙亞胺慶大霉素C1a的N-烷基化反應;接著再與硼氫化鉀發生生成3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)-1-N-乙基慶大霉素C1a的還原反應,直至反應完全;
③用NaOH溶液水解步驟②得到的3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)-1-N-乙基慶大霉素C1a得到1-N-乙基慶大霉素C1a的水解液;
④對步驟③得到的1-N-乙基慶大霉素C1a水解液進行后處理得到1-N-乙基慶大霉素C1a成品。
2.根據權利要求1所述的1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法,其特征在于:步驟①中的六甲基二硅胺烷與3,2',6'-三-N-乙酰基慶大霉素C1a的摩爾比為1.5∶1~5∶1;濃硫酸與3,2',6'-三-N-乙酰基慶大霉素C1a的摩爾比為1∶20~1∶30。
3.根據權利要求2所述的1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法,其特征在于:步驟①中的六甲基二硅胺烷與3,2',6'-三-N-乙酰基慶大霉素C1a的摩爾比為4∶1。
4.根據權利要求1所述的1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法,其特征在于:步驟②的乙醛與步驟①中的3,2',6'-三-N-乙酰基慶大霉素C1a的摩爾比為0.5∶1~2∶1。
5.根據權利要求4所述的1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法,其特征在于:步驟②的乙醛與步驟①中的3,2',6'-三-N-乙酰基慶大霉素C1a的摩爾比為1∶1。
6.根據權利要求1所述的1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法,其特征在于:步驟②中所述的還原反應在硼酸緩沖液中進行,硼酸緩沖液的pH為9~10。
7.根據權利要求1所述的1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法,其特征在于:步驟④中所述的后處理是:將水解液通入弱酸性的樹脂分離柱中上柱,然后用純化水洗柱8h~9h,再用氨水溶液解析,至出口無旋光時換成乙醇水溶液解析,收集出口處純度≥90%的有效組分,收集液經濃縮、干燥后得到1-N-乙基慶大霉素C1a。
8.根據權利要求7所述的1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法,其特征在于:步驟④中的氨水溶液的濃度為0.1mol/L~0.4mol/L。
9.根據權利要求7所述的1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法,其特征在于:步驟④中的乙醇水溶液的濃度為25wt%~40wt%。
10.根據權利要求1至9之一所述的1-N-乙基慶大霉素C1a的制備方法,其特征在于:步驟①中,在硅烷化反應完全后,蒸干三氯甲烷溶劑而得到3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)慶大霉素C1a;步驟②的N-烷基化反應是直接將步驟①得到的體系降溫至20℃~25℃,加入二氯甲烷,繼續降溫至8℃~12℃,再加入乙醛,攪拌下發生生成3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)乙亞胺慶大霉素C1a的N-烷基化反應;步驟②中,在還原反應完全后,加熱回流蒸干二氯甲烷溶劑而得到3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)-1-N-乙基慶大霉素C1a;步驟③的水解是直接對步驟②得到的體系加入NaOH溶液,加熱回流對3,2',6'-三-N-乙酰基-5,2”,4”-三(三甲基硅基)-1-N-乙基慶大霉素C1a進行水解直至水解完全后,降溫而得到1-N-乙基慶大霉素C1a的水解液。
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