[發(fā)明專利]晶片封裝體及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010132218.4
• 申請日: 2010-03-09
• 公開（公告）號: CN102082131A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 倪慶羽;鄭家明;林南君
• 申請（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;王璐

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)于一種晶片封裝體，特別有關(guān)于一種可以在切割制程中保護導(dǎo)電墊的晶片封裝體及其制造方法。

背景技術(shù)

目前業(yè)界針對晶片的封裝已發(fā)展出一種晶圓級封裝技術(shù)，于晶圓級封裝體完成之后，需在各晶片之間進行切割步驟，以分離各晶片。

然而由于在使用切割刀形成開口時會產(chǎn)生許多碎屑，這些碎屑有可能使得接合墊在切割制程中受到損害及刮傷，因此在后續(xù)制程中會產(chǎn)生打線接合的信賴性問題，導(dǎo)致現(xiàn)有的晶片封裝體電性不良。

因此，業(yè)界亟需一種晶片封裝體，其可以克服上述問題，避免導(dǎo)電墊在切割制程中受到損害。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括：一含有晶片的半導(dǎo)體基底，具有元件區(qū)和周邊接墊區(qū)，周邊接墊區(qū)圍繞元件區(qū)；多個導(dǎo)電墊設(shè)置于周邊接墊區(qū)上，晶片保護層覆蓋于半導(dǎo)體基底上，暴露出所述導(dǎo)電墊，絕緣保護層形成于元件區(qū)上，以及封裝層設(shè)置于絕緣保護層之上，暴露出所述導(dǎo)電墊。

本發(fā)明所述的晶片封裝體，該絕緣保護層覆蓋該元件區(qū)而不覆蓋該周邊接墊區(qū)，且該封裝層暴露出所述導(dǎo)電墊及位于該周邊接墊區(qū)的晶片保護層。

本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一間隔層設(shè)置于該封裝層與該絕緣保護層之間。

本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一間隙形成于該封裝層與該絕緣保護層之間，且其中該間隙被該間隔層所圍繞。

本發(fā)明所述的晶片封裝體，該絕緣保護層與該晶片保護層的材料不同。

本發(fā)明所述的晶片封裝體，該晶片保護層的材料包括氮化硅，該絕緣保護層的材料包括氧化硅。

本發(fā)明所述的晶片封裝體，該絕緣保護層的材料包括光致抗蝕劑絕緣材料。

本發(fā)明所述的晶片封裝體，該絕緣保護層在該間隔層下方區(qū)域的硬度大于其他區(qū)域。

本發(fā)明所述的晶片封裝體，該封裝層包括一透明基底或一半導(dǎo)體基底。

此外，本發(fā)明還提供一種晶片封裝體的制造方法，包括：提供一半導(dǎo)體晶圓，包括多個元件區(qū)，任兩個相鄰的元件區(qū)之間包括一周邊接墊區(qū)，且該周邊接墊區(qū)包括多個導(dǎo)電墊，以及一晶片保護層，覆蓋該半導(dǎo)體晶圓，且暴露出所述導(dǎo)電墊；形成一絕緣保護層于該晶片保護層上，且覆蓋所述導(dǎo)電墊；提供一封裝層；接合該半導(dǎo)體晶圓與該封裝層；定義該封裝層，以形成多個開口，所述開口暴露出該周邊接墊區(qū)內(nèi)的絕緣保護層；以及以該封裝層為硬罩幕，除去該周邊接墊區(qū)內(nèi)的絕緣保護層，暴露出所述導(dǎo)電墊。

本發(fā)明所述的晶片封裝體的制造方法，定義該封裝層的步驟包括一切割制程，且于該切割制程中，所述導(dǎo)電墊被該絕緣保護層所覆蓋。

本發(fā)明所述的晶片封裝體的制造方法，除去該周邊接墊區(qū)內(nèi)的絕緣保護層的步驟包括蝕刻制程。

本發(fā)明所述的晶片封裝體的制造方法，該絕緣保護層與該晶片保護層的材料不同。

本發(fā)明所述的晶片封裝體的制造方法，該晶片保護層的材料包括氮化硅，該絕緣保護層的材料包括氧化硅。

本發(fā)明所述的晶片封裝體的制造方法，該絕緣保護層的材料包括光致抗蝕劑絕緣材料。

本發(fā)明所述的晶片封裝體的制造方法，還包括形成一間隔層于該封裝層與該絕緣保護層之間，及形成一間隙于該封裝層與該絕緣保護層之間，其中該間隙被該間隔層所圍繞。

本發(fā)明所述的晶片封裝體的制造方法，還包括：形成一間隔層于該封裝層與該絕緣保護層之間及形成一間隙于該封裝層與該絕緣保護層之間，其中該間隙被該間隔層所圍繞；對該光致抗蝕劑絕緣材料進行曝光，且該光致抗蝕劑絕緣材料于該間隔層下方區(qū)域的曝光程度小于其他區(qū)域。

本發(fā)明所述的晶片封裝體的制造方法，該光致抗蝕劑絕緣材料于該間隔層下方區(qū)域的硬度大于其他區(qū)域。

本發(fā)明所述的晶片封裝體的制造方法，該封裝層為一透明基底或一半導(dǎo)體基底。

本發(fā)明所述的晶片封裝體及其制造方法可避免導(dǎo)電墊在切割制程中被切割殘余物損害及刮傷。

附圖說明

圖1A至圖1F顯示依據(jù)本發(fā)明的一實施例，形成晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。

具體實施方式

為了讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點能更明顯易懂，以下配合所附圖式，作詳細說明如下。

以下以實施例并配合圖式詳細說明本發(fā)明，在圖式或說明書描述中，相似或相同的部分使用相同的圖號。且在圖式中，實施例的形狀或是厚度可擴大，以簡化或是方便標(biāo)示。再者，圖式中各元件的部分將以描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的形式。另外，特定的實施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。