[發明專利]晶片封裝體及其制造方法

有效

• 申請號: 201010132218.4
• 申請日: 2010-03-09
• 公開（公告）號: CN102082131A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 倪慶羽;鄭家明;林南君
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;王璐

1.一種晶片封裝體，其特征在于，該晶片封裝體包括：

一半導體基底，具有一元件區和一周邊接墊區，該周邊接墊區圍繞該元件區；

多個導電墊，設置于該半導體基底的該周邊接墊區上；

一晶片保護層，覆蓋于該半導體基底上，且暴露出所述導電墊；

一絕緣保護層，覆蓋該元件區；以及

一封裝層，設置于該絕緣保護層上，且暴露出所述導電墊。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該絕緣保護層覆蓋該元件區而不覆蓋該周邊接墊區，且該封裝層暴露出所述導電墊及位于該周邊接墊區的晶片保護層。

3.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一間隔層設置于該封裝層與該絕緣保護層之間。

4.根據權利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一間隙形成于該封裝層與該絕緣保護層之間，且其中該間隙被該間隔層所圍繞。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的晶片封裝體，其特征在于，該絕緣保護層與該晶片保護層的材料不同。

6.根據權利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片保護層的材料包括氮化硅，該絕緣保護層的材料包括氧化硅。

7.根據權利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該絕緣保護層的材料包括光致抗蝕劑絕緣材料。

8.根據權利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，該絕緣保護層在該間隔層下方區域的硬度大于其他區域。

9.根據權利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該封裝層包括一透明基底或一半導體基底。

10.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該晶片封裝體的制造方法包括：

提供一半導體晶圓，包括多個元件區，任兩個相鄰的元件區之間包括一周邊接墊區，且該周邊接墊區包括多個導電墊，以及一晶片保護層，覆蓋該半導體晶圓，且暴露出所述導電墊；

形成一絕緣保護層于該晶片保護層上，且覆蓋所述導電墊；

提供一封裝層；

接合該半導體晶圓與該封裝層；

定義該封裝層，以形成多個開口，所述開口暴露出該周邊接墊區內的絕緣保護層；以及

以該封裝層為硬罩幕，除去該周邊接墊區內的絕緣保護層，暴露出所述導電墊。

11.根據權利要求10所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，定義該封裝層的步驟包括一切割制程，且于該切割制程中，所述導電墊被該絕緣保護層所覆蓋。

12.根據權利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，除去該周邊接墊區內的絕緣保護層的步驟包括蝕刻制程。

13.根據權利要求10所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該絕緣保護層與該晶片保護層的材料不同。

14.根據權利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該晶片保護層的材料包括氮化硅，該絕緣保護層的材料包括氧化硅。

15.根據權利要求10所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該絕緣保護層的材料包括光致抗蝕劑絕緣材料。

16.根據權利要求10至15中任一項所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括形成一間隔層于該封裝層與該絕緣保護層之間及形成一間隙于該封裝層與該絕緣保護層之間，其中該間隙被該間隔層所圍繞。

17.根據權利要求15所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括：

形成一間隔層于該封裝層與該絕緣保護層之間及形成一間隙于該封裝層與該絕緣保護層之間，其中該間隙被該間隔層所圍繞；

對該光致抗蝕劑絕緣材料進行曝光，且該光致抗蝕劑絕緣材料于該間隔層下方區域的曝光程度小于其他區域。

18.根據權利要求17所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該光致抗蝕劑絕緣材料于該間隔層下方區域的硬度大于其他區域。

19.根據權利要求16所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該封裝層為一透明基底或一半導體基底。