[發(fā)明專利]鏡頭組及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010131788.1 | 申請日: | 2010-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN102024709A | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林孜穎;鄭杰元 | 申請(專利權(quán))人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪紅 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鏡頭 及其 形成 方法 | ||
1.一種鏡頭組的形成方法,包括:
提供一第一透鏡層,具有一第一透明基板及一第一透鏡,該第一透鏡位于該第一透明基板之上;
提供一第二透鏡層,具有一第二透明基板及一第二透鏡,該第二透鏡位于該第二透明基板之上;
將該第一透鏡層堆疊在該第二透鏡層之上;
于該第一透鏡層與該第二透鏡層之間形成一間隔結(jié)構(gòu);以及
在形成該間隔結(jié)構(gòu)之后,將該第一透明基板薄化至一第一厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的鏡頭組的形成方法,還包括在形成該間隔結(jié)構(gòu)之后,將該第二透明基板薄化至一第二厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的鏡頭組的形成方法,其中該間隔結(jié)構(gòu)的形成包括:
直接于該第一透明基板上形成一第一間隔層;
直接于該第二透明基板上形成一第二間隔層;以及
將該第一透鏡層堆疊在該第二透鏡層之上,使該第一間隔層與該第二間隔層直接接合,其中該第一間隔層與該第二間隔層共同形成該間隔結(jié)構(gòu),其中每一該第一間隔層及該第二間隔層皆包括一高分子材料,其中該高分子材料包括一環(huán)氧樹脂、硅氧烷樹脂、丙烯酸樹脂、光起始劑、或前述的組合。
4.如權(quán)利要求3所述的鏡頭組的形成方法,還包括在該第一間隔層與該第二間隔層直接接合之后,將該第一間隔層及該第二間隔層固化,其中在將該第一間隔層及該第二間隔層固化之前,該第一間隔層及該第二間隔層是可移除的。
5.如權(quán)利要求1所述的鏡頭組的形成方法,還包括于該第一透明基板上形成一第三透鏡,且其中該第一透明基板位于第一透鏡與該第三透鏡之間。
6.如權(quán)利要求1所述的鏡頭組的形成方法,還包括:
提供一第三透鏡層,具有一第三透明基板及一第三透鏡,該第三透鏡位于該第三透明基板之上;以及
將該第三透鏡層堆疊在該第一透鏡層或該第二透鏡層之上。
7.一種鏡頭組,包括:
一第一透鏡層,具有一第一透明基板及一第一透鏡,該第一透鏡位于該第一透明基板之上;
一第二透鏡層,具有一第二透明基板及一第二透鏡,該第二透鏡位于該第二透明基板之上;以及
一第一間隔結(jié)構(gòu),位于該第一透鏡層與該第二透鏡層之間,其中該第一間隔層與該第一透明基板及該第二透明基板直接接觸。
8.如權(quán)利要求7所述的鏡頭組,其中該第一間隔結(jié)構(gòu)包括一高分子材料,該高分子材料包括一環(huán)氧樹脂、硅氧烷樹脂、丙烯酸樹脂、光起始劑、或前述的組合。
9.如權(quán)利要求7所述的鏡頭組,其中該第一透明基板的厚度不同于該第二透明基板的厚度。
10.如權(quán)利要求7所述的鏡頭組,還包括一第三透鏡,位于該第一透明基板上,且其中該第一透明基板位于該第一透鏡與該第三透鏡之間。
11.如權(quán)利要求7所述的鏡頭組,還包括:
一第三透鏡層,設(shè)置于該第一透鏡層之上;
一第二間隔結(jié)構(gòu),位于該第一透鏡層與該第三透鏡層之間,其中該第二間隔結(jié)構(gòu)與該第三透鏡層及該第一透明基板直接接觸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





