[發明專利]半導體器件的制作方法

有效

• 申請號: 201010130286.7
• 申請日: 2010-03-15
• 公開（公告）號: CN102194679B
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 李強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種半導體器件的制作方法，該方法包括：

在晶片半導體襯底上形成柵極結構；

在柵極結構的兩側形成具有氧化層-氮化層-氧化層疊層結構的側壁層；

對晶片表面進行檢測，在檢測到氧化物雜質缺陷時，對晶片表面進行氫氟 酸處理去除所述氧化物雜質缺陷；

所述形成具有氧化層-氮化層-氧化層疊層結構的側壁層的方法包括：

在柵極結構的多晶硅層表面，以及半導體襯底表面依次沉積第一氧化層、 氮化層和第二氧化層；

干法刻蝕第一氧化層、氮化層和第二氧化層，保留第一氧化層、氮化層和 第二氧化層側壁上的厚度，以及保留水平面上的第二氧化層；

濕法刻蝕水平面上的剩余第二氧化層至預定厚度。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在氫氟酸處理之后該方法進一 步包括依次采用硫酸處理和氨水處理晶片。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在氫氟酸處理之后該方法進一 步包括采用硫酸處理或者氨水處理晶片。

4.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述氫氟酸處理的方法為：

采用濃度為49%的稀氫氟酸DHF與去離子水DIW的比例為100：1；溫度 范圍控制在22.5～23.5攝氏度；處理時間為5秒。

5.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述硫酸處理的方法為：

采用濃度為98%的硫酸H₂SO₄與雙氧水H₂O₂的比例為5：1；溫度范圍控 制在120～130攝氏度；處理時間為10分鐘。

6.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述氨水處理的方法為：

氨水NH₄OH與H₂O₂與DIW的比例為1：2：50；溫度范圍控制在28～32 攝氏度；處理時間為420秒。