[發明專利]刻蝕柵極的方法

有效

• 申請號: 201010130254.7
• 申請日: 2010-03-11
• 公開（公告）號: CN102194678A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 王新鵬;黃怡;孟曉瑩;沈滿華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種刻蝕柵極的方法，該方法包括：

在半導體襯底上依次形成柵氧化層、多晶硅層、接觸氧化層、底部抗反射層和光阻膠；

曝光顯影圖案化所述光阻膠，定義柵極的位置；

以圖案化的光阻膠為掩膜，采用溴化氫HBr和氯氣Cl₂相結合干法刻蝕所述底部抗反射層；

以刻蝕后的光阻膠和底部抗反射層為掩膜，依次刻蝕接觸氧化層和多晶硅層，形成柵極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕所述底部抗反射層在刻蝕反應腔內進行，所述刻蝕反應腔內HBr的流量為60～120標準立方厘米每分鐘sccm；Cl₂的流量為10～20sccm。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，刻蝕所述底部抗反射層在刻蝕反應腔內進行，所述刻蝕反應腔內源功率為200～700瓦；偏置功率為100～500瓦。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，刻蝕所述底部抗反射層在刻蝕反應腔內進行，所述刻蝕反應腔內壓力為2～5毫托mt。