[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010130215.7
• 申請日: 2010-03-05
• 公開（公告）號: CN101840912A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 羅明健;吳國雄
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/522;H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;邢雪紅

1.一種半導體裝置，包括：

一第一基板；

一第一多層介電層；

一第一導孔延伸穿越該第一基板及一層或多層該第一多層介電層；以及

一第二導孔延伸穿越該第一基板及一層或多層該第一多層介電層，該第二導孔所穿越該第一多層介電層的層數多于該第一導孔所穿越該第一多層介電層的層數。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

一有源元件位于該第一基板上；以及

多個金屬化層設置于該有源元件之上，其中最接近該第一基板的一第一金屬化層電性連接該第一導孔與該有源元件。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括一導電層相對于該有源元件位于該第一基板相對側，該導電層與該第一導孔電性連接。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

一第二基板；

一第二多層介電層；

一第三導孔延伸穿越該第二基板及一層或多層該第二多層介電層；以及

一第四導孔延伸穿越該第二基板及一層或多層該第二多層介電層，該第四導孔所穿越該第二多層介電層的層數多于該第三導孔所穿越該第二多層介電層的層數，其中該第四導孔電性連接至該第二導孔。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中該第三導孔電性連接至該第一導孔，此乃通過位于該第一多層介電層中的金屬化層連接。

6.一種半導體裝置，包括：

一第一半導體芯片包括一第一基板；

一第一導電孔延伸穿越該半導體芯片；以及

一第二導電孔延伸部分地穿越該第一半導體芯片，該第二導電孔延伸穿越該第一基板。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，還包括多個介電層位于該第一基板之上，其中該第二導電孔延伸穿越一單一的介電層位于鄰近于該第一基板。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，還包括一有源元件位于該第一基板上，其中該有源元件通過一金屬化層與該第二導電孔電性連接。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置，還包括：

一第二半導體芯片包括一第二基板；

一第三導電孔延伸穿越該半導體芯片，其中該第三導電孔電性連接至該第二導電孔；以及

一第四導電孔延伸穿越該第二半導體芯片的程度較少于該第四導電孔延伸穿越該第二基板的程度。

10.一種半導體裝置的制造方法，包括：

提供一第一基板；

形成一層或多層第一介電層于該第一基板之上；

形成一第一導電孔延伸穿越該第一基板及所述一層或多層第一介電層；

形成多層第二介電層于所述一層或多層第一介電層和該第一基板之上；以及

形成一第二導電孔延伸穿越該第一基板、所述一層或多層第一介電層、及該多層第二介電層。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，還包括：

形成一有源元件位于該第一基板上；以及

形成一第一金屬化層于該有源元件之上，該第一金屬化層電性連接該第一導電孔與該有源元件。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其中所述形成該第一導電孔的步驟還包括：

形成一開口于該基底的一第一面上；

將一導電材料填入該開口中；以及

薄化該基板的一第二面，相對于該第一面，以露出該導電材料。

13.根據權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，還包括將一第三導電孔連接至該第二導電孔，該第三導電孔延伸穿透一第二基板。