[發明專利]發光二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201010130080.4
• 申請日: 2010-03-23
• 公開（公告）號: CN102201426A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 沈佳輝;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管，其包括一透明基板及在透明基板形成的多個發光結構單元，每個發光結構單元包括依次層疊的N型半導體層、多量子阱活性層、P型半導體層，P型半導體層表面設置有P型接觸電極，N型半導體層表面設置有N型接觸電極，其特征在于，該發光結構單元進一步包括一凹陷部，該凹陷部從P型半導體層延伸到N型半導體層，該凹陷部內填充有金屬材料，且該金屬材料延伸至覆蓋發光結構單元的表面，該金屬材料分為相互絕緣的兩部分，形成多個發光結構單元共同進行對外連接的兩個電極。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，每個發光結構單元進一步包括一絕緣層，該絕緣層設置在發光結構單元與金屬材料相接觸的表面上。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該金屬材料為銅、金、鎳、銀、鋁其中之一或者它們之間的化合物。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該發光二極管進一步包括一金屬電連接層，該金屬電連接層將相鄰兩個發光結構單元的接觸電極連接在一起，該金屬電連接層與金屬材料之間設置有絕緣層。

5.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，每個發光結構單元包括一透明導電層，該透明導電層設置在P型半導體層與P型接觸電極之間。

6.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該發光二極管進一步包括多個隔離槽，該多個隔離槽使發光結構單元之間電性隔離。

7.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該多個發光結構單元為四個串聯的發光結構單元。

8.一種發光二極管的制作方法，其包括以下步驟：

提供一個透明基板，在透明基板上依次沉積N型半導體層、活性層及P型半導體層以形成發光結構單元；

在發光結構之間形成隔離槽得到多個發光結構單元，同時在發光結構單元中制作凹陷部，該凹陷部從P型半導體層延伸到N型半導體層，顯露出N型半導體層的表面；

在每個發光結構單元的P型半導體層表面和N型半導體層表面分別制作P型接觸電極和N型接觸電極，然后制作第一絕緣層，該第一絕緣層完全覆蓋除P型接觸電極和N型接觸電極以外的區域，然后制作金屬電連接層將多個發光結構單元之間電性連接；

在金屬電連接層表面制作第二絕緣層，然后在凹陷部內填入金屬材料，且金屬材料延伸至覆蓋發光結構表面，該金屬材料分為相互絕緣的兩部分，形成多個發光結構單元共同進行對外連接的兩個電極。

9.如權利要求8所述的發光二極管的制作方法，其特征在于，該金屬電連接層用于連接該多個發光結構單元，使發光結構單元之間形成串聯的電連接關系。

10.如權利要求8所述的發光二極管的制作方法，其特征在于，所述導熱材料以電鍍的方法制作在凹陷部內，在電鍍之前，首先在絕緣層表面蒸鍍一層起鍍層，該起鍍層為鎳、鋁、銀、鉑、鈀、鈦、金其中之一或它們之間的化合物。