[發明專利]等離子體顯示裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 201010129829.3 | 申請日: | 2010-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN102013374A | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發明(設計)人: | 劉永吉;鄭敬云 | 申請(專利權)人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01J17/49 | 分類號: | H01J17/49;H01J9/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本公開涉及一種等離子體顯示面板(PDP)。
背景技術
等離子體顯示面板是通過氣體放電來實現圖像的顯示裝置。通過氣體放電產生的等離子體輻射真空紫外(VUV)線,VUV線激發PDP中的磷光體。被激發的磷光體在從它們的激發態變穩定時產生紅(R)、綠(G)和藍(B)的可見光。
PDP的放電效率可以根據其放電氣體的種類和含量而不同。通過增加放電氣體中氙(Xe)的含量,可以提高放電效率。然而,在此情況下,增大了放電初始電壓,并且由于數據電壓的延遲會導致低放電。
此外,在PDP被氣密性密封之后,雜質氣體會在PDP里面的空間中產生。雜質氣體不僅會使放電效率劣化還會使放電初始電壓升高。
發明內容
本發明的實施例的方面涉及一種等離子體顯示面板(PDP),其具有改善的放電效率、低的放電點火電壓(discharge?firing?voltage)以及高可靠性。
根據本發明的實施例,等離子體顯示裝置包括:第一基板和第二基板,間隔開且彼此面對;多個尋址電極,在第一基板和第二基板之間;多個阻擋肋,在第一基板和第二基板之間并限定多個放電單元和位于相鄰的放電單元之間的非放電區域,非放電區域中具有碳基材料;磷光體層,在多個放電單元中;以及多個顯示電極,在第一基板和第二基板之間并在與尋址電極交叉的方向上延伸。
碳基材料可以是多孔材料。多孔材料可以具有在約500m2/g至約1500m2/g之間的表面積。多個阻擋肋可以包括多個第一阻擋肋構件和多個第二阻擋肋構件,多個第一阻擋肋構件在與尋址電極相同的方向上延伸,多個第二阻擋肋構件在與顯示電極相同的方向上延伸。相鄰的第二阻擋肋構件可以在相鄰的放電單元之間間隔開以形成非放電區域。
非放電區域可以包括多個非放電空間,每個非放電空間可以被阻擋肋圍繞。每個非放電空間可以與對應的成對顯示電極之間的空間重疊。碳基材料可以包括選自煤、碳黑、石墨、活性碳及其組合構成的組的材料。等離子體顯示裝置還可以包括在第一基板和第二基板之間的放電氣體,放電氣體可以具有約11%或更大的氙含量。等離子顯示裝置還可以包括MgO層,該MgO層在第二基板上具有氧空位結構并覆蓋顯示電極。
根據本發明的另一個實施例,本發明提供了一種等離子體顯示裝置的制造方法,該等離子體顯示裝置包括間隔開且彼此面對的第一基板和第二基板。該方法包括:在第一基板上形成多個尋址電極;在第一基板和第二基板之間形成多個阻擋肋以限定多個放電單元和位于相鄰的放電單元之間的非放電區域,該非放電區域中具有碳基材料;在多個放電單元中形成磷光體層;以及在第一基板和第二基板之間形成多個顯示電極。顯示電極在與尋址電極交叉的方向上延伸。
附圖說明
圖1是根據一個實施例的等離子體顯示面板(PDP)的一部分的分解透視圖。
圖2是沿圖1的線II-II剖取的截面圖。
圖3是示出圖1的阻擋肋和電極之間的布置關系的俯視平面圖。
圖4是根據一個實施例的驅動波形圖。
具體實施方式
在下文將參照附圖更充分地描述本公開,附圖中示出了本公開的示范性實施例。本領域技術人員應當了解,描述的實施例可以以各種不同的方式修改,而都不偏離本公開的精神或范圍。附圖和描述應被認為在本質上是說明性的而不是限制性的。相同的附圖標記在整個說明書中指代相同的元件。
在下文,將參照圖1至圖3根據示范性實施例描述等離子體顯示面板(PDP)。
圖1是根據一個實施例的PDP的一部分的分解透視圖,圖2是沿圖1的線II-II剖取的截面圖,圖3是示出圖1的阻擋肋和電極之間的布置關系的俯視平面圖。
參照圖1和圖2,PDP?1包括:后基板10和前基板20,設置為彼此面對;以及阻擋肋40,設置在兩個基板10和20之間。阻擋肋40分隔后基板10與前基板20之間的空間以形成多個放電單元17。
多個尋址電極11和多個顯示電極30設置在后基板10和前基板20之間以面對放電單元17。
尋址電極11形成在后基板10的內表面上以在第一方向(其為附圖中的y軸方向)上延伸,且連續地對應于在y軸方向上的相鄰放電單元17。
尋址電極11對應于相鄰的放電單元17在與第一方向交叉的第二方向(其為附圖中的x軸方向)上并排布置。由于尋址電極11設置在后基板10上,所以尋址電極11不阻礙可見光透射穿過前基板20。因此,尋址電極11可以由不透明的電極形成,也就是例如具有優良的電導率的金屬,諸如銀(Ag)。
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