[發(fā)明專利]等離子體顯示裝置及其制造方法

無效

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• 申請日: 2010-03-04
• 公開（公告）號: CN102013374A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設計）人: 劉永吉;鄭敬云
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01J17/49
• 分類號: H01J17/49;H01J9/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種等離子體顯示裝置，包括：

第一基板和第二基板，間隔開且彼此面對；

多個尋址電極，在所述第一基板和所述第二基板之間；

多個阻擋肋，在所述第一基板和第二基板之間并限定多個放電單元和位于相鄰的放電單元之間的非放電區(qū)域，所述非放電區(qū)域中具有碳基材料；

磷光體層，在所述多個放電單元中；以及

多個顯示電極，在所述第一基板和第二基板之間并在與所述尋址電極交叉的方向上延伸。

2.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述碳基材料為多孔材料。

3.根據(jù)權利要求2所述的等離子體顯示裝置，其中所述多孔材料具有在500m²/g至1500m²/g之間的表面積。

4.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述多個阻擋肋包括：

多個第一阻擋肋構件，在與所述尋址電極相同的方向上延伸；以及

多個第二阻擋肋構件，在與所述顯示電極相同的方向上延伸，

其中相鄰的第二阻擋肋構件在相鄰的放電單元之間間隔開以形成所述非放電區(qū)域。

5.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述非放電區(qū)域包括多個非放電空間，每個所述非放電空間被所述阻擋肋圍繞。

6.根據(jù)權利要求5所述的等離子體顯示裝置，其中每個所述非放電空間與對應的成對顯示電極之間的空間重疊。

7.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述碳基材料包括選自煤、碳黑、石墨、活性碳及其組合構成的組的材料。

8.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括在所述第一基板與所述第二基板之間的放電氣體，該放電氣體具有11％或更大含量的氙。

9.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括MgO層，該MgO層在所述第二基板上具有氧空位結構并覆蓋所述顯示電極。

10.一種制造等離子體顯示裝置的方法，該等離子體顯示裝置包括間隔開且彼此面對的第一基板和第二基板，所述方法包括：

在所述第一基板上形成多個尋址電極；

在所述第一基板和所述第二基板之間形成多個阻擋肋以限定多個放電單元和位于相鄰的放電單元之間的非放電區(qū)域，所述非放電區(qū)域中具有碳基材料；

在所述多個放電單元中形成磷光體層；以及

在所述第一基板和所述第二基板之間形成多個顯示電極，所述顯示電極在與所述尋址電極交叉的方向上延伸。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述碳基材料為多孔材料。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述多孔材料具有在500m²/g至1500m²/g之間的表面積。

13.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中形成所述多個阻擋肋包括：

形成在與所述尋址電極相同的方向上延伸的多個第一阻擋肋構件；以及

形成在與所述顯示電極相同的方向上延伸的多個第二阻擋肋構件，

其中相鄰的第二阻擋肋構件在相鄰的放電單元之間間隔開以形成所述非放電區(qū)域。

14.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述非放電區(qū)域包括多個非放電空間，每個所述非放電空間被所述阻擋肋圍繞。

15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中每個所述非放電空間與對應的成對所述顯示電極之間的空間重疊。

16.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述碳基材料包括選自煤、碳黑、石墨、活性碳及其組合構成的組的材料。

17.根據(jù)權利要求10所述的方法，還包括形成放電氣體，該放電氣體在所述第一基板和所述第二基板之間且具有11％或更大含量的氙。

18.根據(jù)權利要求10所述的方法，還包括通過采用所述碳基材料去除所述放電單元中的雜質。

19.根據(jù)權利要求10所述的方法，還包括在將所述第一基板和所述第二基板密封在一起或所述等離子體顯示裝置的排氣期間，通過氧化所述碳基材料而在所述放電單元中產生二氧化碳。

20.根據(jù)權利要求10所述的方法，還形成MgO層，該MgO層在所述第二基板上具有氧空位結構并覆蓋所述顯示電極。