[發(fā)明專利]掩膜構(gòu)件的清洗裝置及清洗方法以及有機EL顯示器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010129808.1 | 申請日: | 2010-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN101834118A | 公開(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 弓場賢治;韭澤信廣;片桐賢司;井崎良 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社日立高新技術(shù) |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L51/56;H01L27/32;B08B3/08 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人: | 史雁鳴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 構(gòu)件 清洗 裝置 方法 以及 有機 el 顯示器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于洗滌向基板表面進行了真空蒸鍍后的金屬制的掩膜構(gòu)件的掩膜構(gòu)件的清洗裝置及清洗方法,另外涉及通過用清洗了的掩膜構(gòu)件向基板上進行真空蒸鍍制造的有機EL顯示器。
背景技術(shù)
例如,當制造有機EL顯示器時,在玻璃基板的表面上形成發(fā)光成R、G、B的發(fā)光元件的圖案,各色的發(fā)光元件由有機材料形成,其圖案形成一般是由真空蒸鍍法進行的。用于此真空蒸鍍的構(gòu)件是掩膜構(gòu)件。掩膜構(gòu)件由鎳鈷合金等構(gòu)成,并由數(shù)十μm左右的厚度的金屬薄板構(gòu)成。在掩膜構(gòu)件上,作為掩膜圖案,由多個微小透孔以微小間距間隔形成。當真空蒸鍍時,在真空容器內(nèi)使掩膜構(gòu)件成為與玻璃基板的表面相向配設(shè)的狀態(tài),通過從蒸發(fā)源使蒸鍍物質(zhì)氣化乃至升華,經(jīng)掩膜構(gòu)件使之附著在玻璃基板上,在玻璃基板的表面上形成規(guī)定的薄膜發(fā)光元件的圖案。
在真空蒸鍍時,蒸鍍物質(zhì)也附著在掩膜構(gòu)件上,如果使用同一個掩膜構(gòu)件進行多次蒸鍍,則附著在掩膜構(gòu)件的表面上的蒸鍍物質(zhì)成長而增加厚度。如果此蒸鍍物質(zhì)的厚度變大,則由透孔形成的圖案形狀發(fā)生變化,產(chǎn)品的品質(zhì)下降。因此,如果使用掩膜構(gòu)件進行規(guī)定次數(shù)的真空蒸鍍,則要相應(yīng)地清洗乃至洗滌此掩膜構(gòu)件,去除附著在表面上特別是透孔的周邊上的蒸鍍物質(zhì)而進行再生。
作為掩膜構(gòu)件的洗滌方法,在專利文獻1中公開的方法以往已被眾所周知。在此專利文獻1中,在進行使掩膜和附著在其表面上的蒸鍍物質(zhì)之間的結(jié)合強度降低的前處理之后,浸漬在有機溶劑中來去除蒸鍍物質(zhì)。在此,專利文獻1的洗滌方法中的前處理,通過向掩膜上照射激光束,由此激光束產(chǎn)生的等離子體進行膨脹同時產(chǎn)生沖擊波,以此使掩膜上的附著蒸鍍物質(zhì)與掩膜的結(jié)合弱化。
[在先技術(shù)文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-192426號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
在專利文獻1中,通過照射激光束產(chǎn)生等離子體來進行的前處理,由5分鐘左右的浸漬就能夠洗滌,與此相對,在不進行前處理的情況下,需要將掩膜在有機溶劑中浸漬約48小時以上。而且,專利文獻1中的洗滌分二階段進行,在前階段中是使用超純水的洗滌或者在超純水洗滌時向掩膜上照射超聲波,在后階段中是使用有機溶劑的洗滌,具體地講,是浸漬在丙酮中。
但是,在掩膜的洗滌中使用有機溶劑,或組合使用由超純水或者照射了超聲波的超純水進行的洗滌和由有機溶劑進行的洗滌,根據(jù)使用洗滌液的所謂濕式的洗滌,附著在掩膜上的蒸鍍物質(zhì)將全部溶出到洗滌液中。因此,洗滌液的污損乃至劣化變得激烈,存在洗滌液的廢液處理等對環(huán)境的負擔變大的問題。
本發(fā)明是鑒于以上的問題作出的,其目的在于當清洗進行了真空蒸鍍后的掩膜構(gòu)件時,通過與使用溶劑、純水等洗滌液的濕洗滌組合不使用洗滌液的干洗滌,將對清洗時的掩膜構(gòu)件及清洗裝置的負荷抑制到最小限度。
為了解決課題的手段
為了達到上述的目的,本發(fā)明是一種掩膜構(gòu)件的清洗裝置,其對安裝了掩膜構(gòu)件而向基板表面進行了蒸鍍后的金屬制的掩膜構(gòu)件進行洗滌,去除附著在此掩膜構(gòu)件上的蒸鍍物質(zhì),其特征在于,具備:通過間歇地性且呈點狀地加熱上述掩膜構(gòu)件與蒸鍍物質(zhì)的分界面,并使此加熱點移動,從此掩膜構(gòu)件的表面去除其附著蒸鍍物質(zhì)的干洗滌臺;在貯存了洗滌液的洗滌液槽內(nèi)對干洗滌后的上述掩膜構(gòu)件進行濕洗滌的濕洗滌臺。
濕洗滌使用溶劑、純水等洗滌液進行,但如果長時間進行使掩膜構(gòu)件與溶劑接觸的濕洗滌,則掩膜構(gòu)件會受到損傷。因此,在干洗滌臺中去除附著在掩膜構(gòu)件的表面上的蒸鍍物質(zhì)的大半。但是,僅由此干洗滌使掩膜構(gòu)件完全清凈化是困難的。在此,掩膜構(gòu)件一般由形成了具有由多個透孔形成的掩膜圖案的掩膜區(qū)域的掩膜板、和安裝在此掩膜板的掩膜區(qū)域外的掩膜框構(gòu)成,特別是從掩膜框和掩膜板的接合部及其附近完全去除蒸鍍物質(zhì)僅通過干洗滌是極其困難的。
因為以上的原因,在本發(fā)明中,使干洗滌和濕洗滌組合。即在洗滌工序中的前段進行干洗滌,在后段進行濕洗滌。通過進行干洗滌,能夠去除附著在掩膜板上的蒸鍍物質(zhì)的大半。因此,能夠?qū)⑾蛟诤蠖芜M行的濕洗滌的蒸鍍物質(zhì)的帶入抑制到最小限度,能夠?qū)⑾礈觳鄣奈蹞p乃至劣化抑制到最小限度,另外能夠縮短掩膜構(gòu)件中的濕洗滌的洗滌時間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





