[發明專利]一種單晶或多晶硅片的酸洗工藝

無效

• 申請號: 201010129782.0
• 申請日: 2010-03-22
• 公開（公告）號: CN101838851A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 周建明;嚴郁剛;鄭王海
• 申請（專利權）人: 浙江明峰電子科技有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 舒良

技術領域

本發明涉及一種單晶或多晶硅片的酸洗工藝。

背景技術

目前，在生產單晶或多晶硅片過程中，其表面會殘留切割液、金屬離子、氧化皮、其它雜質等，因此需要進行清洗。通常的方法是進行超聲堿洗、酸洗、超聲漂洗，而其中的酸洗工藝一般采用翻轉式浸泡方法，即將硅料進入槽體后浸泡在酸液中作翻轉動作進行清洗。這種方法酸的用量較大，會造成硅料的較大損耗，表面清潔也不徹底，同時產生大量的酸性汽霧，造成排放的廢氣過多，對外部環境也產生了一定影響。

發明內容

本發明的目的是提供能降低酸的用量，清洗速度快、清洗質量高的一種單晶或多晶硅片的酸洗工藝。

本發明采取的技術方案是：一種單晶或多晶硅片的酸洗工藝，其特征在于準備一水槽，與廢液處理設備相連，通入清水，使清水保持流動狀態，將經過超聲堿洗后的單晶或多晶硅片完全浸沒并懸浮在水槽中，之后，在水槽中加入氫氟酸并與水混合形成氫氟酸溶液，使氫氟酸溶液與硅片表面充分接觸進行流動式清洗。

所述的氫氟酸溶液濃度保持在1～5％之間。

采用本發明方法，由于反應物懸浮在液面隨著流動的氫氟酸溶液一起進入廢液處理設備，且反應充分、迅速，能減少酸的用量并產生較小的酸霧，有利于環境保護，并能達到清洗速度快、清洗質量高的目的。

具體實施方式

下面結合具體的實施例對本發明作進一步說明。

1、利用一個50cm×250cm的水槽，與廢液處理設備相連。

2、在水槽中通入清水，使清水保持流動狀態。

3、在水槽中放入單晶或多晶硅片，浸沒并懸浮在水中。

4、在水中加入氫氟酸(HF)，使氫氟酸(HF)溶液的濃度保持在1～5％之間。

5、使單晶或多晶硅片在氫氟酸(HF)溶液中保持一定時間，之后，取出單晶或多晶硅片即可。

根據上述，由于水的比重為1，氫氟酸(HF)的密度為1.15～1.18，硅的密度為2.33，因此，氫氟酸(HF)會與水充分混合并在水槽中流動，能與單晶或多晶硅片的各個表面充分接觸，與附著在硅表面的石英充分反應，生成液態的水與氣態的四氟化硅，四氟化硅進入廢氣處理設備進行處理，而附著與生產分離后的P型重摻及其它雜質在酸的作用下，均成為一些小的片狀及顆粒狀的不溶于水的物質，其重力小于酸溶液的浮力，這些反應生成的雜質全部都懸浮在酸溶液表面，一并流進廢液處理設備中。

因為氫氟酸(HF)會與水充分混合并在水槽中流動，能與單晶或多晶硅片的各個表面充分接觸，并使反應物隨著流動的酸溶液一起進入廢液處理設備，因此，反應完全、充分、迅速，能提高單晶或多晶硅片的表面清潔度，可減少酸的用量并產生較小的酸霧，降低成本，有利于環境保護。