[發明專利]半導體器件、傳輸系統及它們的制造方法無效
| 申請號: | 201010129272.3 | 申請日: | 2010-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN101840911A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發明(設計)人: | 河村拓史 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01P7/08 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 宋鶴;南霆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 傳輸 系統 它們 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體器件、傳輸(transmission)系統、用于制造半導體器件的方法和用于制造傳輸系統的方法,所述傳輸系統通過使用具有毫米波頻率的電信號而允許高速數據傳輸。
背景技術
近年來,對于用于以高速傳輸大量數據(諸如移動圖像數據)的高速數據傳輸的要求不斷提高。對于這樣的高速數據傳輸,存在使用具有作為高頻信號之一的毫米波頻率的電信號的方法。
例如,在PCT專利公布No.WO2006/33204(圖1和圖8,此后稱為專利文件1)中公開了一種振蕩電路,其中,在諧振器中形成諧振電極。在此諧振電路中,諧振電極被形成在諧振器中,并且諧振器和設置在電路板上的傳輸線通過鍵合線彼此連接。通過此諧振器,可以實現22GHz到26GHz范圍內的諧振頻率。
圖23是示出了相關技術的半導體器件100的構造實例的透視圖。圖24是示出了半導體器件100的主要部分的構造實例的俯視圖,圖25是其正視圖。如圖23-25所示,半導體器件100包括:電路板10,其用作處理具有毫米波頻率的電信號的半導體電路元件;承插(interposer)襯底(此后稱為襯底17),其具有傳輸由電路板10處理的電信號的傳輸線14。
電路板10具有由信號傳輸端子11a和接地端子11b組成的端子單元11。襯底17具有由信號傳輸端子13a和接地端子13b組成的端子單元13。信號傳輸端子11a經由導線單元12中包含的導線12a連接到信號傳輸端子13a。接地端子11b經由導線單元12中包含的導線12b連接到接地端子13b。
襯底17具有第一介電層(此后稱為介電層17a)、接地層17b和以及第二介電層(此后稱為介電層17c)。接地層17b由銅或鋁形成,并且具有用于接地的功能。具有導電性的過孔19被設置在介電層17a中的設置接地端子13b的位置處。半導體器件100由通過過孔19的、接地端子13b和接地層17b之間的電連接件接地。介電層17a具有預定的介電常數。介電層17a、傳輸線14和接地層17b形成微帶線。介電層17c具有用于支撐介電層17a和接地層17b的功能。
傳輸線14被連接到信號傳輸端子13a,并且該傳輸線14沿預定方向(在圖24和25中,沿右方向)傳輸毫米波電信號。天線部分16被連接到傳輸線14,并且天線部分16將毫米波電信號轉換為電磁波信號。半導體器件100由密封樹脂18以將襯底17的上部覆蓋的方式密封。
由電路板10的信號處理得到的毫米波電信號由襯底17上的傳輸線14經由導線12a傳輸。被傳輸的毫米波電信號由天線部分16變為電磁波信號,并且電磁波信號穿過密封樹脂18被輸出到外部。
下面將描述關于由半導體器件100進行的毫米波信號傳輸的模擬結果。圖26是示出了由模擬獲得的半導體器件100的特性實例的圖線。如圖26所示,此模擬結果通過在橫坐標上對毫米波電信號的頻率(GHz)做圖并在縱坐標上對S-參數大小(dB)做圖來表示,并且利用圖23-25示出的半導體器件100基于表1所示的參數而計算獲得。S-參數大小是指表示毫米波電信號的透射和反射的參數大小。圖26中的實線表示透射特性S12和S21,虛線表示反射特性S11和S22。
表1
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