[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、傳輸系統(tǒng)及它們的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010129272.3 | 申請日: | 2010-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN101840911A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 河村拓史 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01P7/08 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人: | 宋鶴;南霆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 傳輸 系統(tǒng) 它們 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,包括:
半導(dǎo)體電路元件,其配置來處理具有預(yù)定頻率的電信號;以及
傳輸線,其配置來經(jīng)由導(dǎo)線與所述半導(dǎo)體電路元件連接,并且傳輸所述電信號,
其中,在所述傳輸線中設(shè)置有阻抗匹配圖案,所述阻抗匹配圖案具有關(guān)于所述傳輸線的方向?qū)ΨQ的形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述傳輸線設(shè)置在所述半導(dǎo)體電路元件上。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述阻抗匹配圖案具有關(guān)于所述傳輸線的方向?qū)ΨQ的圓形形狀。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述阻抗匹配圖案的諧振頻率根據(jù)所述傳輸線的一端與所述阻抗匹配圖案之間的距離而移動,具有所需頻率的所述電信號被傳輸。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述半導(dǎo)體電路元件由具有預(yù)定介電常數(shù)的絕緣保護(hù)構(gòu)件覆蓋,并且
所述阻抗匹配圖案的諧振頻率根據(jù)所述保護(hù)構(gòu)件的所述介電常數(shù)而移動,具有所需頻率的所述電信號被傳輸。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述預(yù)定頻率處于毫米波頻帶。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
為所述傳輸線設(shè)置多個接地電極,并且
所述多個接地電極被關(guān)于所述傳輸線的方向?qū)ΨQ地設(shè)置。
8.一種傳輸系統(tǒng),包括:
第一半導(dǎo)體器件,其配置為包括處理具有預(yù)定頻率的電信號的第一半導(dǎo)體電路元件、經(jīng)由導(dǎo)線與所述第一半導(dǎo)體電路元件連接并且傳輸所述電信號的第一傳輸線、以及將從所述第一傳輸線傳輸?shù)碾娦盘栟D(zhuǎn)換為電磁波信號并發(fā)送所述電磁波信號的第一天線部分;以及
第二半導(dǎo)體器件,其配置為包括接收從所述第一天線部分發(fā)送的所述電磁波信號并將所述電磁波信號轉(zhuǎn)換成具有所述預(yù)定頻率的電信號的第二天線部分、傳輸由所述第二天線部分的轉(zhuǎn)換得到的電信號的第二傳輸線、以及經(jīng)由導(dǎo)線與所述第二傳輸線連接并處理由所述第二傳輸線傳輸?shù)碾娦盘柕牡诙雽?dǎo)體電路元件,
其中,在所述第一傳輸線和所述第二傳輸線中設(shè)置有阻抗匹配圖案,這些阻抗匹配圖案分別具有關(guān)于所述第一傳輸線的方向和所述第二傳輸線的方向?qū)ΨQ的形狀。
9.如權(quán)利要求8所述的傳輸系統(tǒng),還包括:
電介質(zhì)傳輸路徑,其配置成設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體器件和所述第二半導(dǎo)體器件之間并且具有預(yù)定的介電常數(shù),所述電介質(zhì)傳輸路徑將所述電信號從所述第一半導(dǎo)體器件傳輸?shù)剿龅诙雽?dǎo)體器件。
10.如權(quán)利要求9所述的傳輸系統(tǒng),其中,
具有預(yù)定介電常數(shù)的粘彈性構(gòu)件設(shè)置在所述第一、第二半導(dǎo)體器件與所述電介質(zhì)傳輸路徑之間。
11.如權(quán)利要求10所述的傳輸系統(tǒng),其中,
所述電介質(zhì)傳輸路徑和所述粘彈性構(gòu)件使用丙烯酸類樹脂基材料、聚氨酯樹脂基材料、環(huán)氧樹脂基材料、硅酮基材料和聚酰亞胺基材料中的至少一種電介質(zhì)材料。
12.如權(quán)利要求8所述的傳輸系統(tǒng),其中,
所述預(yù)定頻率處于毫米波頻帶。
13.如權(quán)利要求8所述的傳輸系統(tǒng),其中,
為所述傳輸線設(shè)置多個接地電極,并且
所述多個接地電極被關(guān)于所述傳輸線的方向?qū)ΨQ地設(shè)置。
14.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括如下步驟:
形成處理具有預(yù)定頻率的電信號的半導(dǎo)體電路元件;
在襯底上形成傳輸所述電信號的傳輸線并形成阻抗匹配圖案,所述阻抗匹配圖案具有關(guān)于所述傳輸線的方向?qū)ΨQ的形狀;
將所述半導(dǎo)體電路元件設(shè)定在所述襯底上;以及
將所述傳輸線經(jīng)由導(dǎo)線連接到所述半導(dǎo)體電路元件。
15.如權(quán)利要求14所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法,還包括如下步驟:
在所述襯底上形成具有預(yù)定介電常數(shù)的絕緣保護(hù)構(gòu)件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
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