[發明專利]一種具有OC材料的TFT ARRAY板的制備方法有效
| 申請號: | 201010129161.2 | 申請日: | 2010-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN101807553A | 公開(公告)日: | 2010-08-18 |
| 發明(設計)人: | 劉偉;任思雨;胡君文;謝凡;洪勝寶;朱漢平;于春崎;何基強 | 申請(專利權)人: | 信利半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 516600 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 oc 材料 tft array 制備 方法 | ||
1.一種具有感光性樹脂薄膜材料的TFT陣列板的制備方法,其 特征在于,包括:
a)在玻璃基板上制作柵極金屬層圖形、源漏極金屬層圖形、半導 體層圖形;
b)使用化學氣相沉積法在所述半導體層和源漏極金屬層上沉積 絕緣膜保護層,并旋涂感光性樹脂薄膜材料,得到感光性樹脂薄膜層, 再進行曝光、顯影、固化工藝,先做出感光性樹脂薄膜層圖案;
c)在所述感光性樹脂薄膜層圖案上,通過曝光、顯影、刻蝕工藝, 做出絕緣膜保護層圖案;
d)在所述感光性樹脂薄膜層上濺射透明像素電極層,經過光刻 形成像素電極,得到TFT陣列板;
其中,所述固化工藝具體為:在步驟b)中顯影得到的基板在100 ℃~160℃下加熱,進行第一次固化,加熱時間為60~200s;
將第一次固化后的基板在200℃~300℃下加熱,進行第二次固 化,加熱時間為30~80min。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟b)具體 為:
b1)使用化學氣相沉積法在所述半導體層和源漏極金屬膜上沉積 絕緣膜保護層;
b2)將感光性樹脂薄膜材料旋涂在所述絕緣膜保護層上;
b3)將b2)得到的基板進行曝光操作;
b4)將b3)得到的基板進行顯影操作;
b5)加熱b4)得到的基板,使感光性樹脂薄膜層固化。
3.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于,步驟b3)所 述曝光操作使用的光源至少由以下光源中的一種組成:436nm的G- 線、405nm的H-線、365nm的J-線。
4.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于,步驟b4)所 述的顯影操作的顯影液為有機堿類顯影液。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述顯影液 的濃度為0.3~0.6wt%。
6.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于,步驟b4)具 體為:
b41)將顯影液涂覆在步驟b3)得到的基板上;
b42)將步驟b41)得到的基板在水的作用下沖洗被顯影液中和的 感光性樹脂薄膜層,得到感光性樹脂薄膜層圖形。
7.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟a)具體 為:a1)清洗玻璃基板,并烘干備用;
a2)在所述玻璃基板上濺射金屬膜,經光刻后得到柵極金屬圖形;
a3)使用化學氣相沉積法在柵極金屬層上連續沉積柵極絕緣層和 半導體層,并光刻得到半導體層圖形;
a4)在步驟a3)得到的基板上濺射金屬膜,并光刻得到源漏極金 屬層圖形。
8.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述玻璃基板 的透光率為85%~92%。
9.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述感光性樹 脂薄膜材料由聚酰亞胺樹脂或丙烯酸樹脂組成。
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