[發明專利]高效率的硅片清洗水槽和清洗方法

有效

• 申請號: 201010128853.5
• 申請日: 2010-03-19
• 公開（公告）號: CN101780460A
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發明（設計）人: 張晨騁
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: B08B3/10
• 分類號: B08B3/10;B08B3/12;B08B13/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，具體涉及硅片清洗水槽和清洗方法。

背景技術

伴隨集成電路制造工藝的不斷進步，半導體器件的體積正變得越來越小， 這也導致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導體器件的制造和性能，所以， 硅片清洗工藝也變得越來越重要。在目前業界廣泛使用的半導體硅片清洗技術 和清洗設備中，雖然出現了多種新型的設備，但一次可以進行多枚硅片清洗的 浸沒式清洗設備依然是最為廣泛使用的方法和設備。

但是，目前業界廣泛采用的浸沒式清洗設備一般會包含多個使用不用化學 藥液的清洗槽，每一個清洗槽都必須配備一個使用去離子水(或純水)沖洗硅 片的QDR(純水沖洗)槽，每一個槽都必須可以容納25或50枚硅片同時清洗。 這樣一來，一臺可以進行多種清洗工藝的浸沒式清洗設備的占地面積就會變得 相當巨大。

發明內容

本發明解決的是，藥液清洗槽必須配備一個QDR槽才能完成清洗，從而使 清洗設備占地面積大的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種硅片清洗水槽，包括：

包括水槽上部、與所述水槽上部成一體的水槽下部、以及可升降板，所述 水槽上部的截面小于所述水槽下部的截面，所述可升降板大于所述水槽上部的 截面且小于所述水槽下部的截面，所述可升降板在水槽下部、以及水槽上部與 水槽下部的連接處運動，所述可升降板升起至所述水槽上部與所述水槽下部的 連接處時，與所述水槽上部的側壁緊密貼合，所述可升降板與所述水槽上部的 側壁形成一個獨立水槽；

所述水槽上部的深度大于所述硅片半徑的3倍，所述水槽上部設有純水進 水管和防漏槽，所述防漏槽上設有排水管；

所述水槽下部的深度大于所述硅片半徑的3倍，所述水槽下部設有藥液進 液口和藥液排液口，在所述水槽下部還設有排氣管。

優選的，在所述硅片清洗水槽中，所述水槽的材質為石英、PFA、PTFE或者 不銹鋼。

優選的，在所述硅片清洗水槽中，所述水槽的底面的長度能容納25枚或50 枚豎直的所述硅片，所述水槽的底面的寬度大于所述硅片直徑。

優選的，在所述硅片清洗水槽中，所述水槽的總深度為所述硅片直徑的4 倍。

優選的，在所述硅片清洗水槽中，所述可升降板的上下表面呈圓弧狀。

優選的，在所述硅片清洗水槽中，在所述水槽下部內還設有超聲波發生裝 置。

優選的，在所述硅片清洗水槽中，所述超聲波發生裝置的數量為1個或多 個，其位置在所述水槽底部或所述水槽下部的側壁，工作頻率可以為 200kHz-3MHz。

本發明還提供一種利用上述硅片清洗水槽的硅片清洗方法，包括如下步驟：

將所述可升降板置于水槽上部與水槽下部的連接處，打開所述排氣管，通 過所述藥液進液口向所述水槽下部注入藥液；

當所述藥液接近所述排氣管時停止所述藥液注入，將所述硅片放入所述可 升降板上，將所述可升降板下降使所述硅片完全浸沒在所述藥液中；

對所述硅片進行藥液清洗；

當所述藥液清洗完成后，將所述可升降板上升到所述水槽上部與所述水槽 下部的連接處，所述水槽上部的側壁與所述可升降板形成一個獨立水槽；

通過所述純水進水管向所述獨立水槽注入純水，直到純水溢出后從所述防 漏槽上的排水管排出；

對所述硅片進行純水清洗；

所述純水清洗完成后，取出所述硅片。

優選的，在所述硅片清洗方法中，在所述水槽下部內還設有超聲波發生裝 置，對所述硅片進行藥液清洗時，還包括打開所述超聲波發生裝置。

優選的，在所述硅片清洗方法中，所述可升降板的上下表面呈圓弧狀。

優選的，在所述硅片清洗方法中，所述水槽的總深度為所述硅片直徑的4 倍。

本發明的所述硅片清洗水槽，將水槽下部和水槽上部集成在一起，所述水 槽下部相當于藥液槽，所述水槽上部相當于QDR槽，這樣同樣可以完成硅片的 清洗工作，減少了水槽上部的占地面積，從而減少了水槽上部所在清洗水槽的 占地面積，從而降低了清洗水槽的使用成本。

本發明的所述硅片清洗方法，能夠方便快捷的清洗所述硅片。

附圖說明

圖1為本發明的硅片清洗水槽的結構示意圖；