[發明專利]高效率的硅片清洗水槽和清洗方法

有效

• 申請號: 201010128853.5
• 申請日: 2010-03-19
• 公開（公告）號: CN101780460A
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發明（設計）人: 張晨騁
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: B08B3/10
• 分類號: B08B3/10;B08B3/12;B08B13/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種硅片清洗水槽，其特征在于，包括：

水槽上部、與所述水槽上部成一體的水槽下部、以及可升降板，所述水槽 上部的截面小于所述水槽下部的截面，所述可升降板大于所述水槽上部的截面 且小于所述水槽下部的截面，所述可升降板在水槽下部、以及水槽上部與水槽 下部的連接處運動，所述可升降板升起至所述水槽上部與所述水槽下部的連接 處時，與所述水槽上部的側壁緊密貼合，所述可升降板與所述水槽上部的側壁 形成一個獨立水槽；

所述水槽上部的深度大于所述硅片半徑的3倍，所述水槽上部設有純水進 水管和防漏槽，所述防漏槽上設有排水管；

所述水槽下部的深度大于所述硅片半徑的3倍，所述水槽下部設有藥液進 液口和藥液排液口，在所述水槽下部還設有排氣管。

2.根據權利要求1所述的硅片清洗水槽，其特征在于，所述水槽的材質為石英、 PFA、PTFE或者不銹鋼。

3.根據權利要求1或2所述的硅片清洗水槽，其特征在于，所述水槽的底面的 長度能容納25枚或50枚豎直的所述硅片，所述水槽的底面的寬度大于所述硅 片直徑。

4.根據權利要求3所述的硅片清洗水槽，其特征在于，所述水槽的總深度為所 述硅片直徑的4倍。

5.根據權利要求4所述的硅片清洗水槽，其特征在于，所述可升降板的上下表 面呈圓弧狀。

6.根據權利要求5所述的硅片清洗水槽，其特征在于，在所述水槽下部內還設 有超聲波發生裝置。

7.據據權利要求6所述的硅片清洗水槽，其特征在于，所述超聲波發生裝置的 數量為1個或多個，其位置在所述水槽底部或所述水槽下部的側壁，工作頻率 為200kHz-3MHz。

8.一種利用權利要求1所述的硅片清洗水槽的硅片清洗方法，其特征在于，包 括如下步驟：

將所述可升降板置于水槽上部與水槽下部的連接處，打開所述排氣管，通 過所述藥液進液口向所述水槽下部注入藥液；

當所述藥液接近所述排氣管時停止所述藥液注入，將所述硅片放入所述可 升降板上，將所述可升降板下降使所述硅片完全浸沒在所述藥液中；

對所述硅片進行藥液清洗；

當所述藥液清洗完成后，將所述可升降板上升到所述水槽上部與所述水槽 下部的連接處，所述水槽上部的側壁與所述可升降板形成一個獨立水槽；

通過所述純水進水管向所述獨立水槽注入純水，直到純水溢出后從所述防 漏槽上的排水管排出；

對所述硅片進行純水清洗；

所述純水清洗完成后，取出所述硅片。

9.一種根據權利要求8所述的硅片清洗方法，其特征在于，在所述水槽下部內 還設有超聲波發生裝置，對所述硅片進行藥液清洗時，還包括打開所述超聲波 發生裝置。

10.一種根據權利要求8所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述可升降板的 上下表面呈圓弧狀。

11.一種根據權利要求8-10中任一項所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述 水槽的總深度為所述硅片直徑的4倍。