[發(fā)明專利]固態(tài)攝像裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010128699.1
• 申請日: 2010-03-03
• 公開（公告）號: CN101834193A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 君塚直彥;松本拓治
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038
• 代理人: 呂林紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及固態(tài)攝像裝置的制造方法。

背景技術(shù)

在混裝了邏輯電路的CMOS圖像傳感器中，構(gòu)成其邏輯部分的晶體管的柵電極的柵長度被最小型化。

在假設(shè)上述晶體管的小型化水平是用CMOSLSI的裝入圖(loadmap)定義的90nm世代以前的水平的情況下，一般無需形成偏移間隔層(offset?spacer)就可以形成具有期望特性的晶體管。上述偏移間隔層形成于柵電極的側(cè)壁上，用于調(diào)整在平面布局圖上看時晶體管的源-漏延伸部分與柵電極的重合長度(ΔL)。

但是，為了使用現(xiàn)在實際應(yīng)用的離子注入裝置或熱處理法，在固態(tài)攝像裝置上混裝90nm世代以后的晶體管，需要在形成偏移間隔層后進行用于形成源-漏延伸區(qū)域的離子注入。

作為現(xiàn)有例，可舉出以下兩個例子：

(1)組合了90nm世代以前的CMOS邏輯的制造工藝和不使用偏移間隔層的制造工藝的制造工藝；

(2)組合了90nm世代以后的CMOS邏輯的制造工藝和使用了偏移間隔層的制造工藝的制造工藝。

上述(2)的制造工藝是如下的制造工藝：如圖14所示，不區(qū)分邏輯電路部114的晶體管的柵電極110、外圍(I/O)電路和像素部112的晶體管的柵電極120，而是針對所有的柵電極110、120形成偏移間隔層131。

無論在哪種情況下，都會在要形成像素晶體管、特別是像素晶體管的放大晶體管的源-漏區(qū)域的硅基板上，在形成偏移間隔層的蝕刻時產(chǎn)生損傷。如果產(chǎn)生了這樣的蝕刻損傷，則放大晶體管的噪聲增大。另外，如果在要形成光電轉(zhuǎn)換部的硅基板上產(chǎn)生上述蝕刻損傷，則會成為白點增加的原因。

另外，與上述(2)的技術(shù)類似，作為形成在柵電極側(cè)壁上的絕緣膜，包括為了在形成源-漏區(qū)域時使用而形成的側(cè)壁絕緣膜。在形成該側(cè)壁絕緣膜時，在光電轉(zhuǎn)換部(例如光電二極管)上殘留用于形成側(cè)壁絕緣膜的絕緣膜的技術(shù)已經(jīng)被公開(例如參照專利文獻1)。這種技術(shù)的情況下，在光電轉(zhuǎn)換部上殘留用于形成側(cè)壁絕緣膜的絕緣膜是為了不會由于在形成了源-漏區(qū)域后進行的硅化技術(shù)而在光電轉(zhuǎn)換部上形成硅化物。

專利文獻1：日本特開2006-210583號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的問題是，在要形成像素晶體管的源-漏區(qū)域、光電轉(zhuǎn)換部和浮動擴散部的硅基板上，在形成偏移間隔層的蝕刻時會產(chǎn)生損傷。

本發(fā)明能夠防止在形成偏移間隔層時對硅基板的蝕刻損傷，抑制像素晶體管的噪聲的產(chǎn)生，抑制光電轉(zhuǎn)換部的白點的產(chǎn)生或者由于浮動擴散部的缺陷而導致的白點的產(chǎn)生。

本發(fā)明提供一種固態(tài)攝像裝置的制造方法，該固態(tài)攝像裝置在半導體基板上具有：光電轉(zhuǎn)換部，對入射光進行光電轉(zhuǎn)換并輸出信號電荷；像素晶體管部，經(jīng)由浮動擴散部輸入從上述光電轉(zhuǎn)換部讀出的信號電荷并在放大后輸出；以及邏輯電路部，對從上述像素晶體管部輸出的信號電荷進行處理，上述制造方法包括以下步驟：在上述半導體基板上形成覆蓋經(jīng)由第1柵絕緣膜形成的上述邏輯電路部的晶體管的第1柵電極、經(jīng)由第2柵絕緣膜形成的上述像素晶體管部的第2柵電極、上述浮動擴散部和上述光電轉(zhuǎn)換部的第1絕緣膜后，在掩蔽上述光電轉(zhuǎn)換部、上述像素晶體管部和上述浮動擴散部的狀態(tài)下，對上述第1絕緣膜進行回蝕，從而在上述第1柵電極的側(cè)壁上形成偏移間隔層。

在本發(fā)明的固態(tài)攝像裝置的制造方法中，對邏輯電路部的晶體管形成了偏移間隔層。此時，在掩蔽光電轉(zhuǎn)換部、像素晶體管部和浮動擴散部的狀態(tài)下，在第1柵電極的側(cè)壁上形成偏移間隔層，因此，在形成了光電轉(zhuǎn)換部、像素晶體管部和浮動擴散部的半導體基板上不會形成作為蝕刻損傷的表面缺陷。從而抑制了由于各區(qū)域中的缺陷而導致的白點的產(chǎn)生。

另外，在掩蔽浮動擴散部而對第1絕緣膜進行回蝕的情況下，可以在浮動擴散部上殘留絕緣膜，同時可以抑制傳送柵側(cè)壁的第1絕緣膜的膜厚的減小。由此可以增大傳送柵與浮動擴散部的雜質(zhì)摻雜層之間的距離，限制由于柵電極端部上的電場引起的結(jié)漏電流。可以減少由于蝕刻損傷導致的缺陷，并且通過該漏電流抑制效果抑制白點的產(chǎn)生。

本發(fā)明的固態(tài)攝像裝置的制造方法沒有使由于缺陷導致的噪聲或白點增加，因此具有可以實現(xiàn)高畫質(zhì)攝影的優(yōu)點。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明的實施方式的固態(tài)攝像裝置的制造方法的第1例的制造工序剖面圖。

圖2是示出本發(fā)明的實施方式的固態(tài)攝像裝置的制造方法的第1例的制造工序剖面圖。

圖3是示出本發(fā)明的實施方式的固態(tài)攝像裝置的制造方法的第1例的制造工序剖面圖。