[發明專利]固態攝像裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201010128699.1
• 申請日: 2010-03-03
• 公開（公告）號: CN101834193A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 君塚直彥;松本拓治
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 呂林紅

1.一種固態攝像裝置的制造方法，該固態攝像裝置在半導體基板上具有：光電轉換部，對入射光進行光電轉換并輸出信號電荷；像素晶體管部，經由浮動擴散部輸入從上述光電轉換部讀出的信號電荷并在放大后輸出；以及邏輯電路部，對從上述像素晶體管部輸出的信號電荷進行處理，上述制造方法包括以下步驟：

在上述半導體基板上形成覆蓋經由第1柵絕緣膜形成的上述邏輯電路部的晶體管的第1柵電極、經由第2柵絕緣膜形成的上述像素晶體管部的第2柵電極、上述浮動擴散部和上述光電轉換部的第1絕緣膜后，在掩蔽上述光電轉換部、上述像素晶體管部和上述浮動擴散部的狀態下，對上述第1絕緣膜進行回蝕，從而在上述第1柵電極的側壁上形成偏移間隔層。

2.如權利要求1所述的固態攝像裝置的制造方法，其中，上述第1絕緣膜由氧化硅膜或氮化硅膜形成。

3.如權利要求1所述的固態攝像裝置的制造方法，其中，上述第1絕緣膜通過化學氣相成長法或原子層沉積法形成。

4.如權利要求1所述的固態攝像裝置的制造方法，還包括以下步驟：

在形成上述偏移間隔層的步驟之后，在上述第1柵電極的兩側的上述半導體基板中形成延伸區域。

5.如權利要求4所述的固態攝像裝置的制造方法，還包括以下步驟：

在形成上述延伸區域之后，在上述第2柵電極的兩側的上述半導體基板中形成LDD區域。

6.如權利要求5所述的固態攝像裝置的制造方法，還包括以下步驟：

在形成上述LDD區域之后，

形成覆蓋上述第1柵電極和上述第2柵電極的第2絕緣膜；以及

在掩蔽上述光電轉換部的狀態下對上述第2絕緣膜進行回蝕，從而在上述第1柵電極的側壁和上述第2柵電極的側壁上形成側壁絕緣膜。

7.如權利要求6所述的固態攝像裝置的制造方法，還包括以下步驟：

在形成上述側壁絕緣膜之后，

在上述第1柵電極的兩側的上述半導體基板中，經由上述延伸區域形成第1源-漏區域；以及

在上述第2柵電極的兩側的上述半導體基板中，經由上述LDD區域形成第2源-漏區域。

8.如權利要求1所述的固態攝像裝置的制造方法，其中，

上述第1晶體管由NMOS晶體管和PMOS晶體管形成，在形成上述NMOS晶體管的第1柵電極和上述PMOS晶體管的第1柵電極之后、在形成上述偏移間隔層之前，

進行在上述NMOS晶體管的第1柵電極的兩側的上述半導體基板上形成NMOS晶體管的延伸區域的步驟，

然后進行形成上述偏移間隔層的步驟，

然后進行在上述PMOS晶體管的第1柵電極的兩側的上述半導體基板上形成PMOS晶體管的延伸區域的步驟。