[發(fā)明專利]發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝和包括發(fā)光器件封裝的照明系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010128466.1
• 申請(qǐng)日: 2010-03-03
• 公開（公告）號(hào): CN101834247A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔正鉉;金在煜;姜正模;金斗顯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14;H01L33/48;F21S2/00;F21Y101/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種發(fā)光器件(LED)，包括：

襯底；

在所述襯底上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的有源層；

在所述有源層上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；和

在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第一電極，

其中所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的垂直距離是變化的。

2.權(quán)利要求1所述的LED，其中所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層包括至少一個(gè)臺(tái)階。

3.權(quán)利要求2所述的LED，其中所述垂直距離根據(jù)所述臺(tái)階而變化。

4.權(quán)利要求2所述的LED，其中所述臺(tái)階形成于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的頂表面上。

5.權(quán)利要求2所述的LED，其中所述臺(tái)階包括多個(gè)階梯形狀。

6.權(quán)利要求1所述的LED，還包括在所述第一電極上的電極墊，其中其上設(shè)置有所述電極墊的所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述有源層之間的距離比其上未設(shè)置有所述電極墊的所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述有源層之間的距離長。

7.權(quán)利要求1所述的LED，還包括在所述第一電極上的電極墊和在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的光提取結(jié)構(gòu)。

8.權(quán)利要求7所述的LED，其中所述電極墊位于所述光提取結(jié)構(gòu)上。

9.權(quán)利要求1所述的LED，其中所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層包括至少一個(gè)臺(tái)階。

10.一種發(fā)光器件(LED)，包括：

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層；

在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上形成的包括至少一個(gè)臺(tái)階的導(dǎo)電襯底；和

在所述導(dǎo)電襯底上的第一電極。

11.權(quán)利要求10所述的LED，其中所述臺(tái)階在所述導(dǎo)電襯底的上表面上形成。

12.權(quán)利要求10所述的LED，其中所述臺(tái)階包括多個(gè)階梯形狀。

13.權(quán)利要求10所述的LED，其中所述導(dǎo)電襯底包括氮化鎵、氧化鎵、氧化鋅、碳化硅和金屬氧化物中的至少一種。

14.權(quán)利要求10所述的LED，其中所述導(dǎo)電襯底具有70～100μm的厚度。

15.一種發(fā)光器件(LED)封裝，包括：

權(quán)利要求1或10的LED；和

包含所述LED的封裝體。

16.一種照明系統(tǒng)，其包括發(fā)光模塊，所述發(fā)光模塊包括權(quán)利要求15的發(fā)光器件(LED)封裝。