[發明專利]近接傳感器封裝結構及其制作方法

無效

• 申請號: 201010128176.7
• 申請日: 2010-02-12
• 公開（公告）號: CN102157510A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 賴律名
• 申請（專利權）人: 億光電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/50;H01L21/48
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 任永武

技術領域

本發明是關于一種近接傳感器封裝結構及其制作方法，尤指一種將感測芯片與發光芯片封裝在一起的近接傳感器封裝結構及其制作方法。

背景技術

紅外線(infrared，IR)近接傳感器已逐漸應用于手機與掌上型裝置中，例如：能夠使用紅外線近接傳感器來控制位于數字相機裝置中的顯示屏幕的開關。當如人的眼睛的對象靠近位于紅外線近接傳感器一側的觀景窗時，紅外線近接傳感器便會檢測到該對象，而執行關閉顯示屏幕，進而節省顯示屏幕的電源消耗。

請參考圖1，圖1為現有的近接傳感器的組裝結構示意圖。如圖1所示，現有的近接傳感器的組裝結構10用于檢測靠近現有的近接傳感器的組裝結構10一特定距離d內的物體12，且現有的近接傳感器的組裝結構10包括一紅外線發光二極管(LED)芯片14、一感測芯片16、一電路板18以及一透明遮蓋20，其中紅外線發光二極管芯片14與感測芯片16分別設于電路板18上，以分別電性連接至外界。當現有的近接傳感器的組裝結構10開始操作時，紅外線發光二極管芯片14所產生的光線具有一特定信號，且朝上發散地射出，遇到所欲檢測的物體12會被反射至感測芯片16，而感測芯片16接收到具有特定信號的光線時即判斷檢測到物體12靠近。并且，電路板18是具有一阻隔部22，設于紅外線發光二極管芯片14與感測芯片16之間，以防紅外線發光二極管芯片14所產生具有特定信號的光線直接被感測芯片16接收到。此外，透明遮蓋20覆蓋于紅外線發光二極管芯片14、感測芯片16以及電路板18上，以作為保護。

然而，由于紅外線發光二極管芯片所射出的光線是發散的，并且透明遮蓋具有部分反射特性，所以當紅外線發光二極管芯片所產生的光線經過透明遮蓋時，部分光線會受到透明遮蓋的反射，而被感測芯片接收到，使被所欲檢測的物體反射的光線與被透明遮蓋反射的光線互相干擾，進而造成感測芯片的判斷錯誤。并且，為了避免紅外線發光二極管芯片的光線于尚未射出組裝結構之前被感測芯片檢測到，現有的近接傳感器的紅外線發光二極管芯片與感測芯片間的距離需盡量遠離，但卻增加了現有的近接傳感器的組裝結構的體積。因此，為了滿足元件縮小化的趨勢，且避免紅外線發光二極管芯片的光線受到透明遮蓋的部分反射的干擾，改善紅外線近接傳感器的結構實為業界努力的目標。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種近接傳感器封裝結構及其制作方法，以解決上述的問題，并提升近接傳感器封裝結構的感應能力。

為達上述的目的，本發明提供一種近接傳感器封裝結構，其包括一具有不可透光性的基板、二設于基板上的第一導電層、多個設于基板上的第二導電層、一發光芯片、一感測芯片以及二封裝膠體。基板具有一第一凹槽以及一第二凹槽，且第一凹槽及第二凹槽分別是由一底面及一由底面向上延伸至基板的上表面的內側壁所界定。這些第一導電層彼此之間電性絕緣，且各第一導電層是自第一凹槽的底面沿其內側壁以相反方向延伸至基板的一外側壁。這些第二導電層彼此之間電性絕緣，且這些第二導電層區分為相隔離的一第一導電部及一第二導電部，第一導電部設置于第二凹槽的底面中央處，而第二導電部是自第二凹槽的底面沿其內側壁延伸至基板的外側壁。發光芯片設于第一凹槽內，且電性連接于第一導電層之間。感測芯片設于第二凹槽內，且電性連接至第二導電層。封裝膠體分別覆蓋于發光芯片以及感測芯片上。

為達上述的目的，本發明提供一種近接傳感器封裝結構的制作方法。首先，提供一基板，其中基板具有一第一凹槽以及一第二凹槽，且基板具有不可透光性。接著，于基板的表面形成多個圖案化溝槽，其中各圖案化溝槽內的基板具有一粗糙表面。然后，于圖案化溝槽內的基板上形成二第一導電層以及多個第二導電層。其后，將一發光芯片與一感測芯片分別接合于第一凹槽內與第二凹槽內的基板上，且電性連接發光芯片與感測芯片分別至第一導電層之間與至第二導電層。

本發明相較于現有技術的有益技術效果是：本發明近接傳感器封裝結構的制作方法是于一基板上直接形成導電層，然后再將發光芯片與感測芯片設于基板上，使發光芯片與感測芯片得以封裝于同一封裝結構中，藉此縮減近接傳感器的體積。并且，本發明的近接傳感器封裝結構利用基板具有不可透光的特性，使設于第二凹槽內的感測芯片不受到設于第一凹槽內的發光芯片所產生的光線直接穿過基板而造成誤感應。

附圖說明

圖1為現有的近接傳感器的組裝結構示意圖。

圖2至圖6為本發明第一實施例的近接傳感器封裝結構的制作方法示意圖。

圖7為本發明第二實施例的近接傳感器封裝結構的上視示意圖。