[發(fā)明專利]近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010128176.7
• 申請日: 2010-02-12
• 公開（公告）號: CN102157510A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴律名
• 申請（專利權(quán)）人: 億光電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/50;H01L21/48
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 任永武

1.一種近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一基板，具有一第一凹槽以及一第二凹槽，該基板具有不可透光性，該第一凹槽及該第二凹槽分別是由一底面及一由該底面向上延伸至該基板的上表面的內(nèi)側(cè)壁所界定；

二第一導(dǎo)電層，設(shè)于該基板上，這些第一導(dǎo)電層彼此之間電性絕緣且各該第一導(dǎo)電層是自該第一凹槽的底面沿該內(nèi)側(cè)壁以相反方向延伸至該基板的一外側(cè)壁；

多個第二導(dǎo)電層，設(shè)于該基板上，這些第二導(dǎo)電層彼此之間電性絕緣，這些第二導(dǎo)電層區(qū)分為相隔離的一第一導(dǎo)電部及一第二導(dǎo)電部，該第一導(dǎo)電部設(shè)置于該第二凹槽的底面中央處，而該第二導(dǎo)電部是自該第二凹槽的底面沿該內(nèi)側(cè)壁延伸至該基板的外側(cè)壁；

一發(fā)光芯片，設(shè)于該第一凹槽內(nèi)，且該發(fā)光芯片電性連接于該等第一導(dǎo)電層；

一感測芯片，設(shè)于該第二凹槽內(nèi)的第二導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電部上，且該感測芯片電性連接至這些第二導(dǎo)電層；以及

二封裝膠體，分別覆蓋于該發(fā)光芯片以及該感測芯片上。

2.根據(jù)權(quán)利要求2所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板由一復(fù)合材料所構(gòu)成，該復(fù)合材料通過激光活化而適可在該復(fù)合材料表面形成這些第一導(dǎo)電層及這些第二導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板還包括一第三凹槽，自該第一凹槽的該內(nèi)側(cè)壁向外延伸至該基板的上表面，而這些第一導(dǎo)電層其中之一設(shè)置于該第一凹槽內(nèi)，這些第一導(dǎo)電層其中另一個設(shè)于該第三凹槽內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一凹槽內(nèi)的該第一導(dǎo)電層完全覆蓋該第一凹槽的內(nèi)側(cè)壁以及底面。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三凹槽的深度是小于該第一凹槽的深度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該感測芯片包括一近接感測芯片以及一濾波涂層，且該濾波涂層覆蓋于該近接感測芯片上，而覆蓋于該感測芯片上的該封裝膠體是一透明膠體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，覆蓋于該感測芯片上的該封裝膠體是一濾波膠體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，另包含二第三導(dǎo)電層，這些第三導(dǎo)電層設(shè)置于該基板上且位于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一環(huán)境光感測芯片設(shè)置于這些第三導(dǎo)電層上且與這些第三導(dǎo)電層電性連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，另包含二第三導(dǎo)電層，這些第三導(dǎo)電層設(shè)置于該基板上且位于相反于該第一導(dǎo)電層的該第二導(dǎo)電層的另一側(cè)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一環(huán)境光感測芯片設(shè)置于這些第三導(dǎo)電層上且與這些第三導(dǎo)電層電性連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光芯片是一發(fā)光二極管芯片。

13.一種近接傳感器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，其中該基板具有一第一凹槽以及一第二凹槽，且該基板具有不可透光性；

于該基板的表面形成多個圖案化溝槽，其中各該圖案化溝槽內(nèi)的該基板具有一粗糙表面；

于該等圖案化溝槽內(nèi)的該基板上形成二第一導(dǎo)電層以及多個第二導(dǎo)電層；以及

將一發(fā)光芯片與一感測芯片分別接合于該第一凹槽內(nèi)與該第二凹槽內(nèi)的該基板上，且電性連接該發(fā)光芯片與該感測芯片分別至該等第一導(dǎo)電層之間與至該等第二導(dǎo)電層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，該基板的材料是一復(fù)合材料，且該復(fù)合材料通過激光活化而適可在該復(fù)合材料表面形成這些第一導(dǎo)電層及這些第導(dǎo)電層。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，形成這些圖案化溝槽的步驟是利用一激光光照射該基板。