[發明專利]一種降低CMOS瞬態功耗的電路有效
| 申請號： | 201010127286.1 | 申請日： | 2010-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN101795134A | 公開（公告）日： | 2010-08-04 |
| 發明（設計）人： | 丁晟;宋志棠;陳后鵬 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H03K19/20 | 分類號： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 cmos 瞬態 功耗 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低CMOS瞬態功耗的電路，包括由PMOS晶體管與NMOS晶體管連接 構成的CMOS門電路，所述PMOS晶體管的源極接入電源，其特征在于：
所述PMOS晶體管設有自該PMOS晶體管襯底公共阱引出的基極；在 所述基極與電源之間，連接有一個隔離器件，該隔離器件至少為兩端元 件，一端接所述基極，另一端接所述電源；
所述基極還連接有穩壓器件，使該基極電壓保持恒定。
2.根據權利要求1所述一種降低CMOS瞬態功耗的電路，其特征在于：所述 隔離器件為MOS晶體管，該MOS晶體管的柵極接固定電平，源極、漏極 分別接所述電源、所述基極。
3.根據權利要求2所述一種降低CMOS瞬態功耗的電路，其特征在于：所述 MOS晶體管的柵極接地。
4.根據權利要求1所述一種降低CMOS瞬態功耗的電路，其特征在于：所述 穩壓器件為電容器，所述電容器的一端接所述基極，另一端接地。
5.根據權利要求1所述一種降低CMOS瞬態功耗的電路，其特征在于：在所 述PMOS晶體管的源極與所述電源之間連接有限流電路。
6.根據權利要求5所述一種降低CMOS瞬態功耗的電路，其特征在于：所述 限流電路由一對電流鏡構成。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海微系統與信息技術研究所，未經中國科學院上海微系統與信息技術研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010127286.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
