[發(fā)明專利]一種制作凸面雙閃耀光柵的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010126045.5
• 申請日: 2010-03-17
• 公開（公告）號: CN101799569A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發(fā)明（設計）人: 劉全;汪海賓;吳建宏;胡祖元;陳新榮;李朝明
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G03F7/20;G02B27/60
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒

1.一種制作凸面雙閃耀光柵的方法，所述凸面雙閃耀光柵的兩個閃耀角分別是A閃耀角和B閃耀角，凸面雙閃耀光柵分為兩個區(qū)，對應A閃耀角的為A光柵區(qū)，對應B閃耀角的為B光柵區(qū)，所述凸面雙閃耀光柵為凸球面光柵，其特征在于，制作方法包括下列步驟：

(1)在凸面基片上涂布光刻膠，光刻膠的厚度根據(jù)A閃耀角確定；

(2)進行第一次干涉光刻，制作符合A閃耀角要求的光刻膠光柵掩模；

(3)遮擋B光柵區(qū)，對于A光柵區(qū)的光柵掩模，進行傾斜Ar離子束掃描刻蝕，利用光刻膠光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成三角形的閃耀光柵槽形；之后清洗基片，保留下已刻蝕完的閃耀光柵槽形；

(4)在凸面基片上重新涂布光刻膠，光刻膠的厚度根據(jù)B閃耀角確定；

(5)將B光柵區(qū)進行遮擋，利用已制備完成的A光柵區(qū)，采用光學莫爾條紋法進行莫爾條紋對準，使得所述第一次干涉光刻與去除遮擋后進行的第二次干涉光刻產(chǎn)生的光柵周期相一致，然后去除遮擋，進行第二次干涉光刻，制作符合B閃耀角要求的光刻膠光柵掩模；

(6)遮擋A光柵區(qū)，對于B光柵區(qū)的光柵掩模，進行傾斜Ar離子束掃描刻蝕，將B光柵區(qū)刻蝕形成三角形的閃耀光柵槽形；

(7)清洗基片，得到凸面雙閃耀光柵；

其中，步驟(3)和步驟(6)中所述傾斜Ar離子束掃描刻蝕為，在凸面基片的外側設置與凸面基片表面同心的球面掩模，所述球面掩模中心的法線方向與Ar離子束入射方向的角度等于對應刻蝕光柵閃耀角的Ar離子束入射角，以凸面基片的球心為轉動中心，使凸面基片相對于入射離子束及球面掩模轉動，實現(xiàn)掃描刻蝕。

2.根據(jù)權利要求1所述的制作凸面雙閃耀光柵的方法，其特征在于：步驟(2)中通過干涉光刻所制作的光柵結構的周期(Λ)為0.5～5.5微米；占寬比為0.35～0.65。

3.根據(jù)權利要求1所述的制作凸面雙閃耀光柵的方法，其特征在于：步驟(5)中通過干涉光刻所制作的光柵結構的周期(Λ)為0.5～5.5微米；占寬比為0.35～0.65。

4.根據(jù)權利要求1所述的制作凸面雙閃耀光柵的方法，其特征在于：步驟(3)和(6)中的傾斜Ar離子束掃描刻蝕的工藝參數(shù)為，離子能量380～520eV，離子束流70～110mA，加速電壓250～300V，工作壓強2.0×10^-2Pa，刻蝕角度55°～85°。