[發明專利]一種制作凸面雙閃耀光柵的方法有效
| 申請號: | 201010126045.5 | 申請日: | 2010-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN101799569A | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發明(設計)人: | 劉全;汪海賓;吳建宏;胡祖元;陳新榮;李朝明 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | G02B5/18 | 分類號: | G02B5/18;G03F7/20;G02B27/60 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制作 凸面 閃耀 光柵 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種衍射光學元件的制備方法,具體涉及一種凸面雙閃耀光柵的制備方法。
背景技術
光柵是一種應用非常廣泛而重要的一種高分辨率的色散光學元件,在現代光學儀器中占有相當重要的地位。1995年,意大利Galileo?Avioniea公司用凸面光柵代替Offner中繼光學系統中的凸面反射鏡,研制出了世界上第一臺凸面光柵超光譜成像儀系統,此后,凸面光柵成為了成像光譜儀的核心器件。
眾所周知,單個柵縫衍射主極大方向實際上既是光線的幾何光學傳播方向,也是整個多縫光柵的零級方向,它集中著光能,而又不能把各種波長分開,而實際應用中則偏重于將盡可能多的光能集中在某一特定的級次上。為此需要將衍射光柵刻制成具有經過計算確定的槽形,使單個柵槽衍射的主極大方向(或光線幾何光學傳播方向)與整個光柵預定的衍射級次方向一致,這樣可使大部分光能量集中在預定的衍射級次上。從這個方向探測時,光譜的強度最大,這種現象稱為閃耀,這種光柵稱為閃耀光柵。閃耀使得光柵的衍射效率得到大大的提高。
閃耀光柵雖然有著很多的優點,但是在寬波段上,如從紫外到紅外波段都想獲得較高的衍射效率,還是很困難,為此,出現了雙閃耀光柵產品,以實現寬波段內,均有較高的、均勻的衍射效率。凸面雙閃耀光柵由于具有寬波段的高效率優勢,非常適宜于成像光譜儀應用,具有非常廣闊的市場前景。
現有技術中,閃耀光柵的主要制作方法有以下幾類:
A.機械刻劃
機械刻劃是用金剛石刻刀在金、鋁等基底材料上刻劃出光柵的方法,早期的閃耀光柵大多用該方法制作。然而,機械刻劃光柵會產生鬼線,表面粗糙度及面形誤差大,嚴重降低了衍射效率。
B.全息曝光顯影
通過全息曝光顯影在光刻膠上制作閃耀光柵的方法源于20世紀60-70年代。Sheriden發明了駐波法,通過調整基片與曝光干涉場之間的角度,在光刻膠內形成傾斜的潛像分布,顯影后就能得到具有一定傾角的三角形光柵。Schmahl等人提出了Fourier合成法,把三角槽形分解為一系列正弦槽形的疊加,依次采用基波條紋、一次諧波條紋等進行多次曝光,經顯影即可獲得近似三角形的輪廓。然而,光刻膠閃耀光柵的槽形較差,閃耀角等參數無法精確控制,因此一直沒有得到推廣。
C.全息離子束刻蝕
離子束刻蝕是一種應用十分廣泛的微細加工技術,它通過離子束對材料濺射作用達到去除材料和成形的目的,具有分辨率高、定向性好等優點。
全息離子束刻蝕閃耀光柵的一般制作工藝如附圖1所示。首先在石英玻璃基底表面涂布光刻膠,經過全息曝光、顯影、定影等處理后,基底上形成表面浮雕光刻膠光柵掩模,再以此為光柵掩膜,進行Ar離子束刻蝕。利用掩模對離子束的遮擋效果,使基底的不同位置先后被刻蝕,光刻膠光柵掩模刻盡后就能在基底材料上得到三角形槽形。離子束刻蝕閃耀光柵具有槽形好,閃耀角控制較精確,粗糙度低等優點,在工程中得到了廣泛應用。
D.電子束直寫
這種方法本質上是一種二元光學方法,將光柵閃耀面用若干個臺階近似,電子束以臺階寬度為步長進行掃描曝光,根據每個臺階高度選擇合適的曝光劑量,顯影后即可得到階梯槽形。顯然,臺階劃分的越細,就越接近于理想的鋸齒形。
然而,由于電子束直寫是逐步掃描的,若要制作面積比較大的光柵,要花費很長的時間和很高的成本,此外由于目前電子束一次直寫區域的尺寸通常不過幾毫米,大面積加工時存在相鄰區域間的接縫誤差(Stitching?error),其對衍射效率的影響還需要評估。因此該方法適合于為一些小型的原理性實驗提供光柵。
當制作雙閃耀光柵時,需要在相鄰的區域形成兩個不同閃耀角的光柵,并且這兩個區域的光柵周期必須一致。
在上述方法中,機械刻劃法通過變換刻刀、電子束直寫法通過控制曝光的劑量,可以相對容易地實現雙閃耀光柵結構。然而,正如前面所述,采用機械刻劃法制作閃耀光柵時,會產生鬼線,表面粗糙度及面形誤差大,而采用電子束直寫法,制作時間長,成本高,不適用于大面積加工。而對于全息離子束刻蝕法,由于閃耀角是依賴光柵掩模槽形的,故在實現雙閃耀光柵結構時存在較大的困難。
而且在制作凸面閃耀光柵時,上述方法均還需要考慮凸面的影響。一般地,機械刻劃法仍然通過變換刻刀、電子束直寫法通過控制曝光的劑量,可以實現雙閃耀光柵結構。對于全息離子束刻蝕法,由于閃耀角是依賴光柵掩模槽形的,故在凸面基片上實現雙閃耀光柵結構時困難更大。
因此,有必要尋求一種新的制備凸面雙閃耀光柵的方法,解決上述問題。
發明內容
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