[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010125795.0
• 申請日: 2010-03-15
• 公開（公告）號: CN102194748A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 安霞;郭岳;云全新;黃如;張興
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/265;H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供鍺基半導體襯底，所述鍺基半導體襯底具有多個有源區以及多個有源區之間的器件隔離區，所述有源區上具有柵極介質層和柵極介質層之上的柵極，所述有源區包括源漏擴展區和深源漏區；

對所述源漏擴展區進行第一離子注入工藝，所述第一離子注入工藝中的注入離子包括硅或碳；

對所述源漏擴展區進行第二離子注入工藝；

對所述深源漏區進行第三離子注入工藝；

對經過第三離子注入工藝之后的鍺基半導體襯底進行退火工藝。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述鍺基半導體襯底為P型，所述第二離子注入工藝和/或第三離子注入工藝中注入N型雜質。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述鍺基半導體襯底包括體鍺襯底、鍺覆絕緣襯底或硅基外延鍺襯底。

4.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述N型雜質包括P、As和Sb中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述退火工藝包括快速熱處理退火、激光退火或閃光退火。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一離子注入工藝的摻雜劑量為1×e13至1×e16atom/cm²。

7.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第三離子注入工藝的摻雜劑量為5×e14至1×e16atom/cm²。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，源漏擴展區進行硅或碳注入后在鍺溝道中引入平行于溝道方向的單軸張應力和垂直于溝道平面壓應力。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，對經過第三離子注入工藝之后的鍺基半導體襯底進行退火工藝的步驟前還包括：在所述柵極兩側形成側墻。

10.一種半導體器件，包括：

鍺基半導體襯底，

所述鍺基半導體襯底中的多個有源區以及多個有源區之間的器件隔離區，

所述有源區上的柵極介質層和柵極介質層之上的柵極，所述有源區包括源漏擴展區和深源漏區；

其特征在于，所述源漏擴展區內具有硅或碳雜質；

所述硅或碳雜質通過對所述源漏擴展區進行第一離子注入工藝而摻雜。