[發明專利]熱輻射結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201010124695.6
• 申請日: 2010-02-08
• 公開（公告）號: CN102054932A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 許哲豪
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/62;H01S5/024
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種熱輻射結構，用于輻射從發光器件產生的熱量，所述熱輻射結構包括：

金屬基底，具有面對所述發光器件的前表面、與所述前表面相對的后表面、以及連接所述前表面和所述后表面的側表面；

氧化膜圖案，覆蓋所述金屬基底的所述前表面；

膠粘膜，覆蓋所述氧化膜圖案；以及

金屬圖案，形成在所述膠粘膜上。

2.根據權利要求1所述的熱輻射結構，其中，所述金屬基底由鋁材料制成，所述氧化膜圖案包括氧化鋁膜。

3.根據權利要求1所述的熱輻射結構，其中，所述金屬圖案由銅(Cu)材料制成，且包括電連接至所述發光器件的電路。

4.根據權利要求1所述的熱輻射結構，其中，所述氧化膜圖案是通過對所述金屬基底進行陽極氧化而形成的。

5.一種用于制造熱輻射結構的方法，所述熱輻射結構用于輻射由發光器件產生的熱量，所述方法包括以下步驟：

制備金屬基底，所述金屬基底具有面對所述發光器件的前表面、與所述前表面相對的后表面、以及連接所述前表面和所述后表面的側表面；

形成金屬氧化膜，覆蓋所述金屬基底的所述前表面、所述后表面以及所述側表面；

形成膠粘膜，覆蓋形成在所述前表面上的金屬氧化膜；

在所述膠粘膜上形成金屬圖案；以及

去除形成在所述后表面和所述側表面上的金屬氧化膜。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述制備金屬基底的步驟包括制備鋁板的步驟，所述形成金屬氧化膜的步驟包括對所述鋁板進行陽極氧化的步驟。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述去除形成在所述后表面和所述側表面上的金屬氧化膜的步驟包括在其中形成有所述金屬氧化膜的生成結構上進行分層處理的步驟。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，所述形成金屬圖案的步驟包括：

在所述膠粘膜上層壓銅箔；以及

在去除所述金屬氧化膜的步驟前對所述銅箔進行蝕刻處理。