[發明專利]一種形成通孔的方法

有效

• 申請號: 201010124583.0
• 申請日: 2010-03-11
• 公開（公告）號: CN102194735A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 符雅麗;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種形成通孔的方法，包括：

提供前端器件層；

在所述前端器件層的表面沉積刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層的表面形成層間介質層；

在所述層間介質層的表面形成硬掩膜層；

在所述硬掩膜層的表面形成抗反射層；

在所述抗反射層的表面形成光刻膠層；

采用曝光顯影工藝，形成具有開口圖案的光刻膠層；

對所述具有開口圖案的光刻膠層進行等離子體放電處理；

以所述具有開口圖案的光刻膠層為掩膜，依次刻蝕所述抗反射層、所述硬掩膜層和所述層間介質層，直到刻蝕到所述刻蝕停止層為止。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述抗反射層是底部抗反射層或者包括形成于所述硬掩膜層上的第一底部抗反射層、形成于所述第一底部抗反射層上面的低溫氧化層以及形成于所述低溫氧化層上面的第二底部抗反射層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子放電處理為先采用N₂和H₂的混合氣體進行放電處理再單獨采用N₂進行放電處理。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述混合氣體中N₂的流速為10～100sccm，H₂的流速為50～200sccm，放電功率為200～1000W，放電時間為10～25秒。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述單獨采用的N₂的流速為20～100sccm，放電功率為200～500W，放電時間為10～25秒。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體放電處理采用氧氣進行放電處理。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述等離子放電處理采用氧氣的流速為10～100sccm，放電功率為200～500W，放電時間為10～30秒。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕所述硬掩膜層采用氧氣進行刻蝕。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，刻蝕所述硬掩膜層采用的氧氣的流速為10～25sccm。

10.一種具有包含如權利要求1所述的方法形成的通孔的半導體器件的集成電路，其中所述集成電路選自隨機存取存儲器、動態隨機存取存儲器、同步隨機存取存儲器、靜態隨機存取存儲器、只讀存儲器、可編程邏輯陣列、專用集成電路、掩埋式DRAM和射頻器件。

11.一種具有包含如權利要求1所述的方法形成的通孔的半導體器件的電子設備，其中所述電子設備選自個人計算機、便攜式計算機、游戲機、蜂窩式電話、個人數字助理、攝像機和數碼相機。