[發明專利]光電倍增管

有效

• 申請號: 201010123812.7
• 申請日: 2010-02-25
• 公開（公告）號: CN101814413A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 杉山浩之;下井英樹;小玉剛史;木下仁志;河野泰行;井上圭祐
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01J43/04
• 分類號: H01J43/04;H01J43/18
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及檢測來自外部的入射光的光電倍增管。

背景技術

一直以來，利用了微細加工技術的小型光電倍增管的開發不斷取 得進展。已知的有，例如在透光性的絕緣基板上配置有光電面、倍增 極以及陽極的平面型光電倍增管(參照下述專利文獻1)。利用這樣的 結構，可以高可靠性地檢測出微弱光，并且可以實現裝置的小型化。

然而，在如上所述的現有的光電倍增管中，存在被倍增了的電子 容易入射到被夾持在各級倍增極之間的絕緣基板的表面的趨勢。因此， 存在絕緣基板帶電而導致耐受電壓(withstand?voltage)降低的情況。

專利文獻1：美國專利第5264693號的說明書

發明內容

因此，本發明正是鑒于上述問題，其目的在于提供一種光電倍增 管，可以防止電子向倍增極之間的絕緣部分入射，從而改善耐受電壓。

為了解決上述問題，本發明的光電倍增管的特征在于，具備：具 有形成有由絕緣材料構成的平面的基板的箱體；第1級～第N級(N 為2以上的整數)電子倍增部，從基板的平面上的一端側向另一端側 依次間隔地排列；光電面，該光電面被配置于一端側且與電子倍增部 相間隔，將來自外部的入射光變換為光電子并釋放光電子；以及陽極 部，該陽極部被配置于另一端側且與電子倍增部相間隔，將被電子倍 增部倍增的電子作為信號取出，在基板的平面上，在鄰接的2個電子 倍增部之間，形成有表面由絕緣材料構成的溝槽部，第1級～第N級 電子倍增部被固定在與基板的溝槽部鄰接的凸部上。

根據這樣的光電倍增管，入射光入射于光電面而被變換為光電子， 該光電子入射于基板上的多級電子倍增部從而被倍增，被倍增了的電 子作為電信號而從陽極部被取出。此時，由于在鄰接的電子倍增部之 間的基板的表面上形成有絕緣性的溝槽部，因此，能夠防止通過鄰接 的電子倍增部之間的電子向基板表面入射。由此，能夠防止由基板表 面的帶電所導致的耐受電壓的降低。

優選溝槽部被形成為橫跨從第K-1級電子倍增部的另一端側的邊 緣部到第K級電子倍增部的一端側的邊緣部所夾持的范圍，其中K為 2以上N以下的整數。在這種情況下，由于能夠可靠地使鄰接的電子 倍增部之間的電子軌道從基板的表面分離，因此能夠有效地防止電子 向基板表面入射。

此外，優選溝槽部被形成為：相比第K級電子倍增部的一端側的 邊緣部，更向另一端側擴展。采用這樣的結構，減少了通過鄰接的電 子倍增部之間的電子向溝槽部的另一端側入射，因此能夠進一步防止 電子向基板表面入射。

此外，還優選溝槽部被形成為：相比第K-1級電子倍增部的另一 端側的邊緣部，更向一端側擴展。采用這樣的結構，減少了通過鄰接 的電子倍增部之間的電子向溝槽部的一端側入射，因此能夠進一步防 止電子向基板表面入射。

此外，還優選在基板的所述平面上，在凸部的端部還形成有連通 鄰接的溝槽部之間的溝槽部。這樣，使得凸部上的電子倍增部從基板 分離，并可以進一步改善耐受電壓。

附圖說明

圖1為本發明的一個優選實施方式所涉及的光電倍增管的立體圖。

圖2為圖1的光電倍增管的分解立體圖。

圖3為表示圖1的光電倍增管的內部結構的部分截斷立體圖。

圖4為圖3的電子倍增部以及沿著下側框架的IV-IV線的部分放大 截面圖。

圖5為表示圖3的電子倍增部中的電子軌道的側面圖。

圖6為用于說明圖3的電子倍增部的加工方法的截面圖。

圖7為表示圖3的電子倍增部以及下側框架的變形例的部分放大 截面圖。

圖8為表示圖3的電子倍增部以及下側框架的變形例的部分放大 截面圖。

圖9為表示圖3的電子倍增部以及下側框架的變形例的部分放大 截面圖。

具體實施方式

以下，參照附圖詳細說明本發明所涉及的光電倍增管的優選實施 方式。其中，在附圖的說明中，對相同或者相當的部分賦予同一符號 并省略重復的說明。

圖1為本發明的一個優選實施方式所涉及的光電倍增管1的立體 圖，圖2為圖1的光電倍增管1的分解立體圖。