[發明專利]半導體器件柵氧化層完整性的測試結構有效
| 申請號： | 201010123737.4 | 申請日： | 2010-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN101853843A | 公開（公告）日： | 2010-10-06 |
| 發明（設計）人： | 高超 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 氧化 完整性 測試 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件柵氧化層完整性的測試結構，其特征在于，包括：
有源區；
所述多個淺槽隔離平行交叉設置于所述有源區中；
所述多個柵極結構平行間隔的覆蓋于所述淺槽隔離上。
2.根據權利要求1所述的半導體器件柵氧化層完整性的測試結構，其特征在于，所述柵極結構包括：柵極及柵氧化層。
3.根據權利要求2所述的半導體器件柵氧化層完整性的測試結構，其特征在于，所述柵極為多晶硅或金屬柵。
4.根據權利要求2所述的半導體器件柵氧化層完整性的測試結構，其特征在于，所述柵氧化層為氧化層，氮化層或高介電常數材料層。
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